1) GaN-based
GaN基
1.
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials;
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
2.
GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays
GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件
2) GaN/Si
Si基GaN
1.
Fabrication of GaN/Si photoconductive detectors;
采用MOCVD技术在Si(111)衬底上生长GaN薄膜，以此材料制备成光导型Si基GaN紫外探测器。
4) GaN-based material
GaN基材料
1.
Uniformity test of the local optical thickness for GaN-based material;
GaN基材料局域光学厚度均匀性的检测方法
5) Si basedn-GaN
Si基n-GaN
6) GaN-based FET
GaN基FET
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条