1) photon surface-integrating
光子面阵集成
2) photonic integration
光子集成
1.
This paper gives a brief introduction to the concept and development of photonic integration technology and describes its influence to WDM transmission system from historic respective.
本文对光子集成技术及其发展进行了简要介绍,重点分析了该技术对光波分复用(WDM)传输系统的深远影响,并分析了其未来的发展趋势。
3) integrated photonics
集成光子学
4) optoelectronic integration
光电子集成
1.
Silicon based light emitting materials are the elemental materials for the future optoelectronic integration.
硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。
2.
The development of GaN material and its optoelectronic devices is one of the hot spots on optoelectronic research fields in recent years, and wafer bonding technology is an attractive fabrication method which has the potential for achieving desirable optoelectronic integration.
GaN材料及其有关光电子器件的研制是近年来光电子研究领域内的研究热点之一,而键合技术又是光电子集成研究领域内一项新的制作工艺。
3.
Silicon is a fundamental material for microelectronics, but Si-based light-emitting materials are necessary for developing optoelectronic integration.
为了发展光电子集成就必须研究硅基发光材料。
6) PICs (Photonic integration circuits)
光子集成(PICs)
补充资料：光子面辐射强度
分子式：
CAS号：
性质：符号为Lp。对于平行光束来说，它等于由光源在给定方向上通过或离开一个无限小而透明的面积元的光子流量声Φp，除以与光束垂直的平面吵上的面积元的正投影面积。dΦp/dS/cosψ。当光子流在所考虑的表面积上为常数时，可简化为Lp=φp/(S·cosψ)。对于行进在包含此方向ψ的立体角dw中的锥体元中的发散光束，光子照度为d2φp/(dw·dS·cosψ)，其SI制单位为：m-2·s-1·sr-1。此外，此术语与光子数量(摩尔或爱因斯坦)并用时，其SI制单位分别为：mol/(m2·s)和mol/(m2·s·sr)。
CAS号：
性质：符号为Lp。对于平行光束来说，它等于由光源在给定方向上通过或离开一个无限小而透明的面积元的光子流量声Φp，除以与光束垂直的平面吵上的面积元的正投影面积。dΦp/dS/cosψ。当光子流在所考虑的表面积上为常数时，可简化为Lp=φp/(S·cosψ)。对于行进在包含此方向ψ的立体角dw中的锥体元中的发散光束，光子照度为d2φp/(dw·dS·cosψ)，其SI制单位为：m-2·s-1·sr-1。此外，此术语与光子数量(摩尔或爱因斯坦)并用时，其SI制单位分别为：mol/(m2·s)和mol/(m2·s·sr)。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条