1) optically pumped vertical external cavity surface emitting laser
光泵浦半导体垂直外腔面发射激光器
2) optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers
光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器
1.
By using these mode-locking devices on novel thin-disk solid state lasers and optically pumped vertical-external-cavity surface-emitting semiconductor lasers(OPS-VECSEL) to obtain high average output power ultrashort pulses are stated,and it is emphasized that the study of high average output power ultrashort pulses laser can be accel.
综述了利用半导体可饱和吸收镜被动锁模薄片式固态激光器及光泵浦垂直外腔面发射半导体激光器,获得高平均输出功率超短脉冲的最新进展,并指出量子点半导体可饱和吸收镜的使用将加速超短高功率脉冲的发展。
3) optically pumped vertical-external cavity surface emitting semiconductor lasers
光抽运垂直外腔面发射半导体激光器
4) VCSEL
垂直腔表面发射半导体激光器
1.
Rate-equation-based VCSEL Thermal Model and Simulation;
基于速率方程的垂直腔表面发射半导体激光器温度模型与仿真
2.
In order to analyse the laser diode(LD) relevant circuit by a unified manner using any general circuit analytical software(such as PSPICE),this paper describes the model of a vertical-cavity surface-emitting laser(VCSEL) based on the rate equations.
建立了一个垂直腔表面发射半导体激光器(VCSEL)的等效电路模型,该模型以半导体激光器的速率方程为基础,将速率方程表征为由线性电路元件组成的等效电路模型。
3.
Based on the rate equation, a VCSEL model is established, which can simulate the thermal effect and spatial hole burning effect.
建立了一个基于速率方程,考虑了热效应、空间烧孔效应的垂直腔表面发射半导体激光器的模型,并根据其物理和几何特性,通过正交变换简化了速率方程的计算,从而得到一个新的高效的面向系统连接的仿真模型,并将此模型用于激光器和光纤之间的耦合。
5) VCSEL
垂直腔面发射半导体激光器
1.
Based on the logarithmic relation of gain on carrier density,the rate equations are described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSEL)的速率方程。
2.
Based on changing the logarithmic relation of gain on carrier density, the rate equations were described for multi-quantum well of vertical cavity surface emitting laser (VCSELs) taking into account the influence of nonradiative depopulation rate.
采用光增益与载流子浓度的对数关系,考虑到非辐射复合的影响,从理论上推导出多量子阱垂直腔面发射半导体激光器(VCSELs)的速率方程。
6) VCSELs
垂直腔面发射半导体激光器
1.
Rate Equation Analysis of the Multi-quantum Well VCSELs;
多量子阱垂直腔面发射半导体激光器的速率方程分析
2.
A review is presented of vertical cavity surface emitting lasers(VCSELs),outlining the main structural properties strained quantum wells,microcavity effects,recent developments in the fabrication oxide confined VCSELs,ways to decrease the threshold current of the increase of spontaneous emission,and the properties of three dimensionally closed cavities.
评述了垂直腔面发射半导体激光器研究的最新进展，就其结构特点、应变量子阱结构、超晶格镜面和微腔效应作了简要的论述，探讨了进一步降低半导体激光器阈值的途径，介绍了新型的氧化约束型垂直腔面发射半导体激光器，并对微腔激光器中自发辐射增强效应和三维封闭腔的特性给出了描述，同时展望了该器件的应用及发展前景。
补充资料：半导体激光泵浦的激光晶体
半导体激光泵浦的激光晶体
LD pumped laser crystal
半导体激光泵浦的激光晶体LD PumPed lasercrystal适用于半导体二极管作泵浦源的激光晶体。传统的固体激光器一般用闪光灯泵浦，由于闪光灯的发光区域宽，只有一部分能量被吸收后转换成激光，大部分转换成热量，使工作物质温度上升，恶化了输出激光束的质量。半导体激光器输出的激光谱线窄(一般为几纳米)，选择合适的半导体激光器，使其激光光谱与某种固体激光材料的吸收光谱匹配，即可达到高效泵浦，大大减轻固体工作物质的热负荷。 因为半导体激光器光泵区域小，需用的晶体尺寸也小，因此要求基质晶体内可掺入的激活离子浓度要高，且不产生浓度碎灭。此外，要求与光泵的半导体激光波长相匹配的晶体的吸收带要宽，吸收系数要大;要有低的阑值功率;Q开关运转时，荧光寿命要长。当泵浦光源从闪光灯改变为半导体激光二极管时，对被泵浦的激光晶体产生了不同的要求。用闪光灯泵浦时，对材料的热性能和机械性能有严格要求，而半导体泵浦则更注重材料的光谱性能。 在已使用的激光晶体中，掺钱石榴石(Nd:YAG)晶体的阑值功率低，光学质量高，是应用于半导体激光光泵的固体激光器的主要材料。由于Nd3+离子在基质晶体中受分凝系数的限制，Nd3+离子浓度不能太高，所以一些氟化物和钨、钥酸盐晶体等掺杂浓度高，激光效率高，荧光寿命长，有可能成为半导体激光泵浦的后选晶体。 用半导体泵浦可制成效率高、功率和频率稳定、激光束质量好、寿命长的全固化激光器，并经各种频率转换技术，可发展成各种波长、各种模式、各种运转方式的激光器，这种激光器将在很大范围内取代已有的各类固体、液体和气体激光器。 (沈鸿元)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条