1) isoelectronic doping
等电子掺杂
2) electron-doped
电子掺杂
1.
Thermodynamic Properties of Electron-doped Cuprate Superconductors;
电子掺杂铜氧化物超导体的热力学特性
2.
Therefore the epitaxial film is most likely an electron-doped colossal magnetoresistance fihn.
X射线光电子能谱(XPS)的结果表明薄膜体系中Pr离子的价态为+4价,因此该薄膜很可能是电子掺杂的庞磁电阻体系。
3.
The valence state of Sb is confirmed to be +5 through x-ray photoelectron spectroscopy,so this compound is an electron-doped colossal magnetoresistance material.
x射线光电子能谱分析证明 ,该氧化物中Sb的价态是 +5价 ,因此该氧化物是一种新的电子掺杂型庞磁电阻材料 。
3) electron beam implantation machine
电子束掺杂机
4) lightly doped drain,LDD
轻掺杂漏极(电子)
6) nano-doping plasma spraying
纳米掺杂等离子喷涂
补充资料：等电子掺杂（isoelectronicdoping）
等电子掺杂（isoelectronicdoping）
与被替代的基体原子具有相同价电子结构的替代原子的掺杂。等电子杂质虽然是电中性的，但由于其原子半径及电负性与被替代原子不同，因此产生的短程势起陷阱作用，能俘获电子（空穴），并成为负电或正电中心而吸引一个空穴（电子），形成束缚激子。相邻的等电子中心成对地相互作用，形成一系列束缚激子能级。在某些半导体材料中掺入等电子杂质，由于束缚于等电子陷阱的束缚激子是局域化的，因而使辐射复合的概率增大，发光效率有较大增加。这一原理在GaP和GaAsP发光二极管中已广泛使用。等电子掺杂有利于提高发光效率的另一个原因是等电子陷阱束缚的激子仅包含一个电子和一个空穴，因此复合时不会产生俄歇（Auger）过程（一种非辐射复合过程）。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条