1) GaN-based material
GaN基材料
1.
Uniformity test of the local optical thickness for GaN-based material;
GaN基材料局域光学厚度均匀性的检测方法
2) GaN Based Luminescent Materials
GaN基发光材料
3) n-GaN materials
n-GaN材料
4) GaN material
GaN材料
1.
Transient temperature field of GaN material irradiated by pulse laser with different energy density was simulated and analyzed for Al_2O_3/GaN laser lift-off technique using the finite element method(FEM).
用有限元分析法模拟计算Al2O3/GaN的激光剥离,分析了采用不同能量密度脉冲激光辐照时GaN材料内的瞬态温度场分布。
6) GaN-based
GaN基
1.
Application of Wet Chemical Etching in GaN-based Materials;
湿法化学腐蚀在GaN基材料中的应用
2.
GaN-based 512×1 Ultroviolet linear Focal Plane Arrays
GaN基512×1元紫外长线列焦平面探测器组件
补充资料：gallium nitride GaN
分子式：
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
CAS号：
性质：白色或微黄色粉末。具有很高的化学稳定性，不溶于水，不与水和浓无机酸反应，稍与稀酸作用，缓慢与碱液反应，空气中加热800℃开始氧化，生成氧化镓。1050℃开始分解。可由气态生长细晶。在1050～1200℃由氧化镓和氨反应或由氯镓酸铵分解制取。为半导体材料和荧光粉。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条