1) tunneling leakage current
栅隧穿漏电流
1.
The results show that compared with the pure oxide gate dielectrics of the same EOT,N/O stack gate dielectrics have much better performance on the aspects of tunneling leakage current,SILC characteristics,and gate dielectrics lifetime.
结果表明 ,同样EOT的Si3 N4/SiO2 stack栅介质和纯SiO2 栅介质比较 ,前者在栅隧穿漏电流、抗SILC性能、栅介质寿命等方面都远优于后者 。
2) gate tunneling current
栅隧穿电流
3) direct tunneling gate current
直接隧穿栅电流
4) tunneling current
隧穿电流
1.
The external condition could induce the change of piezoelectric field in superlattices and further induce the change of tunneling current.
外界条件可引起超晶格中内建电场的变化,进而引起隧穿电流的变化。
2.
Results show that with the increment of doping level, the peak tunneling current density increases for GaInP/GaAs tandem solar cells, and the performance of GaInP tunnel junctions are much better than GaAs tunnel junctions.
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。
3.
The gate direct tunneling current in ultra-thin oxide is computed with different device parameters.
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。
5) gate-leakage current
栅漏电流
1.
The impact of gate-leakage current on device characteristic becomes obvious with the continuous scaling of MOSFETs.
随着MOSFET尺寸的不断减小,栅漏电流对器件特性的影响日益明显。
6) FN tunneling current
FN隧穿电流
1.
A method is presented for estimating the widths of interface in metal oxide semiconductor structures by using of the FN tunneling current oscillations.
给出一种利用 FN隧穿电流振荡来估计金属 -氧化物 -半导体场效应管的界面宽度的方法 ,数值计算的结果表明该方法可以精确而且方便地估计界面宽度 ,用这种方法估计得到的界面宽度在 0 。
补充资料：穿流式栅板塔
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：板式塔的一种，不设降液管，无溢流装置，如图所示。气-液两相同向地通过栅板的缝隙。栅板也可作成筛孔形式。气相通过栅板孔缝上升，与气体接触后的液体则向下流。这种塔板的优点是：结构十分简单，易于制造加工，安装维修方便，可节省材料和投资；允许通过的气体流量较大，适应的生产能力也大；开孔率大，气体流速小，压力降也小，一般比泡罩塔低40%~80%，特别适于真空蒸馏；污垢不易沉积，孔道不易堵塞；可采用各种非金属耐腐蚀材料（如塑料、陶瓷、石墨等）加工制造。缺点是：操作弹性较小，塔板效率较小。不过由于孔缝处的气速较小，雾沫夹带也小，因而可缩小塔板的间距，在相同的分离条件下，塔的总高度与泡罩塔基本相同。这种塔在工业生产中有应用十分广泛。
分子量：
CAS号：
性质：板式塔的一种，不设降液管，无溢流装置，如图所示。气-液两相同向地通过栅板的缝隙。栅板也可作成筛孔形式。气相通过栅板孔缝上升，与气体接触后的液体则向下流。这种塔板的优点是：结构十分简单，易于制造加工，安装维修方便，可节省材料和投资；允许通过的气体流量较大，适应的生产能力也大；开孔率大，气体流速小，压力降也小，一般比泡罩塔低40%~80%，特别适于真空蒸馏；污垢不易沉积，孔道不易堵塞；可采用各种非金属耐腐蚀材料（如塑料、陶瓷、石墨等）加工制造。缺点是：操作弹性较小，塔板效率较小。不过由于孔缝处的气速较小，雾沫夹带也小，因而可缩小塔板的间距，在相同的分离条件下，塔的总高度与泡罩塔基本相同。这种塔在工业生产中有应用十分广泛。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条