1) XeF_2 dry etching
二氟化氙(XeF_2)干法刻蚀
2) xenon difluoride
二氟化氙
3) CDE
化学干法刻蚀
1.
The Application of CDE in TFT-LCD Process;
化学干法刻蚀在TFT-LCD工艺中的应用
4) dry etching
干法刻蚀
1.
Effect of dry etching on light emission of InAsP/InP SMQWs;
干法刻蚀影响应变量子阱发光的机理研究
2.
Research of dry etching simulator in micromachining;
微加工干法刻蚀工艺模拟工具的研究现状
3.
Research of CCl_2F_2 plasma dry etching InSb-In thin film;
CCl_2F_2等离子体干法刻蚀InSb-In薄膜的研究
6) dry-etching
干法刻蚀
1.
The testing technologies of SiC MESFET on manufacturing process were presented,including identification chip surface,dry-etching monitoring,aided testing of isoplanar,the test of the specific contact resistance of ohmic contact and other various testing technologies.
介绍了SiC MESFET芯片加工工艺中的主要在片检测技术,包括芯片表面情况判定、干法刻蚀的监测、等平面工艺的辅助测试、欧姆接触比接触电阻值的测试以及各种中间测试技术。
补充资料：氟氧化氙
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：氙能形成一系列氟氧化物：其中XeOF4较稳定，为无色透明液体，易挥发，凝固点-46.2℃，介电常数24.6。水解产生XeO2F2，最终生成XeO3。300℃下可被过量的氢气还原为氙。由XeF6不完全水解或与三氟一氧化磷（POF3）反应制得。XeO2F2为无色结晶，熔点30.8℃，不稳定，易分解。由N2O5和过量的XeOF4反应产生。XeOF2为浅黄色固体，极不稳定，易爆炸分解。由四氟化氙（XeF4）不完全水解产生。
分子量：
CAS号：
性质：氙能形成一系列氟氧化物：其中XeOF4较稳定，为无色透明液体，易挥发，凝固点-46.2℃，介电常数24.6。水解产生XeO2F2，最终生成XeO3。300℃下可被过量的氢气还原为氙。由XeF6不完全水解或与三氟一氧化磷（POF3）反应制得。XeO2F2为无色结晶，熔点30.8℃，不稳定，易分解。由N2O5和过量的XeOF4反应产生。XeOF2为浅黄色固体，极不稳定，易爆炸分解。由四氟化氙（XeF4）不完全水解产生。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条