1) Inversion channel mobility
反型沟道迁移率
2) Channel Mobility
沟道迁移率
3) channel mobility
沟道载流迁移率
4) inversion layer mobility
反型层迁移率
5) inversion channel
反型沟道
6) mobility model
迁移率模型
1.
Based on a new majority carrier mobility model of the strained Si 1-x Ge x material, the relation between resistivity and doping concentrations with different Ge compositions has been obtained.
在对Si1-xGex材料多子迁移率模型分析基础上,建立了Si1-xGex材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度关系的曲线图谱。
2.
The relation between the resistivity and the dopi ng concentration with the different Ge composition was obtained based on a new majority carrier mobility model of the strained Si 1-xGe x material.
在分析研究Si1 -xGex 材料多子迁移率模型的基础上 ,建立了Si1 -xGex 材料电阻率与其Ge组分、掺杂浓度及温度关系的曲线谱图 。
补充资料：电子迁移率检测器
分子式：
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
CAS号：
性质：β粒子与载气氩分子间的碰撞是弹性的，而与试样分子间的碰撞则是非弹性的，即总伴有能量损失。适当选择脉冲持续时间，使快电子能够完全到达正极，而慢电子则不能到达。当试样进入后，快电子所产生的电流就会改变，从而输出信号。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条