1) SILC
应力感应漏电流
1.
Stress-induced leakage current (SILC) of ultrathin gate oxide is investigated by observing the generation of interface traps for n-MOSFET and p-MOSFET under hot-carrier stress.
通过测量界面陷阱的产生 ,研究了超薄栅 n MOS和 p MOS器件在热载流子应力下的应力感应漏电流( SIL C) 。
2.
The degradation of device parameters and the degradation of the stress induced leakage current(SILC)of thin tunnel gate oxide under constant direct-tunneling voltage stress are studied using nMOS and pMOSFETs with 1.
4nmMOS器件在恒压直接隧穿应力下器件参数退化和应力感应漏电流退化。
2) gate induced drain leakage current
栅极感应漏极漏电流
3) stress induced leakage current
应力诱生漏电流
1.
Generation mechanism of stress induced leakage currentin flash memory cell;
闪速存储器中应力诱生漏电流的产生机理
4) stress induce leakage current
应力诱导漏电流
5) SILC
应力引起的泄漏电流
6) stress induced leakage current(SILC)
应力诱生漏电流(SILC)
补充资料：反向漏电流（inverseleakagecurrent）
反向漏电流（inverseleakagecurrent）
流过处于反向工作的pn结的微小电流称为反向漏电流。理想pn结反向漏电流中还包括体内扩散电流与空间电荷区产生电流两部分，硅pn结空间电荷区产生电流起支配作用。反向漏电流的大小与组成pn结的半导体材料禁带宽度呈指数关系，反向漏电流中还包括表面漏电流，表面漏电流的大小与pn结制作工艺密切相关。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条