1) AlGaInP/GaAs
铝镓铟磷/砷化镓
2) GaInP/GaAs/Ge
镓铟磷/砷化镓/锗
3) InGaP/GaAs
铟镓磷/砷化镓
4) GaInP/GaAs
镓铟磷/镓砷
5) InGaAs/InP
铟镓砷/磷化铟
6) gallium indium arsenide phosphide GaInAsP
镓铟磷砷
补充资料:磷锑化铝镓
分子式:InxAl1-xSbyP1-y;0≤x≤1;0≤y≤1
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
CAS号:
性质:周期表第Ⅲ、V族元素化合物半导体。立方晶系闪锌矿型结构,晶格常数和禁带宽度随x、y的变化而变化。存在间接带隙半导体区。可在锑化镓、砷化铟衬底上用液相外延、分子束外延等方法制备。用于制作红外发光器件和激光器件。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条