1) AlxGa1-xAs tri-compound
AlxGa1-xAs三元化合物
2) Al_xGa_(1-x)As
AlxGa1-xAs
1.
The wet oxidation of buried Al_xGa_(1-x)As was investigated.
详细研究了温度和Al组分与AlxGa1-xAs横向氧化速率的关系,通过分析氧化机制和实验得到的氧化宽度与时间的线性关系,指出在较短时间内的氧化为受AlxGa1-xAs材料与水汽反应速率限制的过程。
3) Al 0.8 Ga 0.2 As/GaAs
AlxGa1-xAs/GaAs
4) Al_xGa_(1-x)As/GaAs
GaAs/AlxGa1-xAs
1.
The polaron binding energy is obtained numerically for a Al_xGa_(1-x)As/GaAs quantum well system.
计入流体静压力效应,同时考虑量子阱中三类光学声子模(局域类体光学声子、半空间类体光学声子和界面光学声子模)对单电子基态能量的影响,采用变分法讨论GaAs/AlxGa1-xAs量子阱中自由极化子的结合能。
5) Al x Ga 1-x As wet oxidation
AlxGa1-xAs湿氮选择氧化
6) GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure
GaAs/AlxGa1-xAs异质结
1.
In 1996, the group Pepper of Cavendish Laboratory not only observed the giant oscillation in the acoustoelectric current induced by the surface acoustic wave (SAW) as function of the split gate voltage when SAW launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure by split gate but also fou.
1996年剑桥大学凯文迪什实验室的Pepper小组在实验中观察到,表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道内诱导产生的声电电流随门电压振荡,且在一维通道钳断的情况下,声电电流是量子化的,其值为,其中为正整数,为表面声波的频率,是电子电荷。
补充资料：三元化合物半导体材料
分子式：
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
CAS号：
性质：由三种已确定的原子配比形成的化合物并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质的称为三元化合物半导体。黄铜矿型化合物半导体材料是典型的三元化合物半导体材料。如CdGeP2、CuAlS2、AgGaS2等，这些三元化合物半导体是直接跃迁型材料，而且有些材料禁带宽度大，有希望用来研制可见发光二极管。
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参考词条