1) SiGe multi quantum wells
硅锗多量子阱
2) Si/Ge quantum wells
锗硅量子阱
1.
The band-to-band absorption edges of Si/Ge quantum wells were characterized by photocurrent measurement.
利用光电流谱的方法对锗硅量子阱结构的带间吸收边进行了研究。
3) SiGe quantum wells
硅锗量子阱
4) GeSi quantum dot
锗硅量子点
1.
Such pit-patterned Si substrates facilitate the formation of ordered GeSi quantum dot by deposition of Ge using molecular beam epitaxy(MBE).
由此制作的坑形图案衬底上用分子束外延系统生长锗硅量子点,可以实现对锗硅量子点成核位置的控制。
5) GeSi quantum rings
锗硅量子环
6) Multiple Quantum wells
多量子阱
1.
Room-temperature photoluminescence of ZnO/MgO multiple quantum wells deposited by reactive magnetron sputtering;
反应磁控溅射ZnO/MgO多量子阱的光致荧光光谱分析
2.
GaAs/AlGaAs(110)multiple quantum wells(MQWs)were grown by solid source molecular beam epitaxy(MBE)with a valved arsenic cracker cell.
采用固态源分子束外延的方法在GaAs(110)取向衬底上生长了GaAs/Al GaAs多量子阱结构。
3.
The DR spectra of GaAs/Al 0 25 Ga 0 75 As multiple quantum wells (MQWs) samples were measured experimentally.
利用振动光束差分反射测试系统 ,获得了 Ga As/Al Ga As多量子阱材料的 DR谱 ,初步分析了 DR信号的产生机制 。
补充资料：多量子阱(见量子阱)
多量子阱(见量子阱)
multiple quantum well
多t子阱multiple quanturn well见量子阱。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条