1) optically activated charge domain
光激发电荷畴
1.
The switching transition of high gain PCSS s can be described with an optically activated charge domain.
结合实验中观察到的光激发电荷畴现象 ,提出光激发电荷畴理论模型描述高倍增 Ga As光电导开关的瞬态特性 ,讨论了高倍增 Ga As光电导开关的非线性特性如上升时间、时间延迟和光能、电场阈值 ,光激发电荷畴的成核、生长以及畴内发生的碰撞电离和辐射复合决定了高倍增 Ga As光电导开关的引发和维持相 ,理论计算结果与实验测试相符
2) the mode of luminous charge domain
光激发电荷畴模型
3) photon-activated monopole domain
光激发单极畴
1.
The photon-activated monopole domain in a semi-insulating multi-valley photoconductive semiconductor switch and the dipole domain in a Gunn device are compared.
对比了半绝缘多能谷光电导开关中光激发单极畴和耿氏器件中偶极畴的物理机制。
5) monopole charge domain
单极电荷畴
6) charge-separated excited state
电荷分离激发态
1.
Investigation of the solvent effect of the photoinduced electron transfer and charge-separated excited state between tetracyanothylene and tetramethylethylene;
四氰基乙烯—四甲基乙烯体系光诱导电子转移的溶剂效应及电荷分离激发态研究
补充资料：晶体中的元激发(见固体中的元激发)
晶体中的元激发(见固体中的元激发)
elementary excitation in crystal
晶体中的元激发eleme讯ary excitation Incrvstal见固体中的元激发。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条