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1)  AlGaAs/GaAs HBT
AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
1.
Self aligned AlGaAs/GaAs HBT with Micro airbridge Isolation;
微空气桥隔离的自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管
2)  double heterojunction bipolar transistor
双异质结双极晶体管
1.
We report the performance of the first self-aligned InP/InGaAs double heterojunction bipolar transistor (DHBT) produced in China.
报道了一种自对准InP/InGaAs双异质结双极晶体管的器件性能。
3)  DHBT
双异质结双极晶体管(DHBT)
4)  InP double heterojunction bipolar transistor
InP双异质结双极晶体管
1.
A physical model of small-signal InP double heterojunction bipolar transistor(DHBT) is developed,which takes into account the base-emitter and collector-emitter metalisations by using two additional capacitances C_mb and C_mc.
研究了InP双异质结双极晶体管(DHBT)的能带结构对集电极电容的影响,解决了传统方法不能准确提取InPDHBT集电极电容的问题。
5)  Heterojunction Bipolar Transistor (HBT)
异质结双极晶体管
6)  SiGe heterojunction bipolar transistor
SiGe异质结双极晶体管
1.
<Abstrcat> The base transit time of SiGe heterojunction bipolar transistor(HBT) is calculated and analysed.
对SiGe异质结双极晶体管(HBT)的基区渡越时间进行了计算和分析,考虑了基区掺杂和Ge组分分布对本征载流子浓度和电子迁移率的影响,以及大电流密度下产生的感应基区(CIB)的渡越时间。
补充资料:管他的
1.见"管他"。
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参考词条