1) two dimensional nonlinear compensation
二维线性补偿
2) two-dimensional compensation
二维补偿
3) linear compensation
线性补偿
1.
A method of network signal compensation based on linear compensation model is studied by building enterprise network systems.
通过某企业网络系统的建立,以线性补偿模型为基础,研究了网络信号补偿的方法。
2.
The paper discusses the defects of the present model of financial failure in the listed companies,that is the unchangedness in the linear compensation and effect of the compensation.
分析了上市公司财务失败线性模型的缺欠,即线性补偿和增补效应不变;提出了解决问题的方法———建立非线性模型。
3.
We deal with the inverted pendulum system through approximate linearization, and then invest linear compensation about the dynamic performance around the equilibrium point.
本文就倒立摆系统进行了近似线性化研究,并就系统平衡点的动态特性进行了线性补偿,得到的近似线性模型能较为精确地反映倒立摆系统的动态特性。
4) linearity compensation
线性补偿
1.
To improve linearity of accelerometer and accurately survey the acceleration, this paper is focused on how to use MCU to achieve the accelerometer linearity compensation on the basis of a mathematical mode of liner error.
为了提高加速度计的线性度,实现对加速度的精确测量,采用MCU(单片机)系统,在建立加速度计线性误差数学模型的基础上,给出了利用MCU软件实现线性补偿的方法,并在硅桥式半导体加速度计上进行应用,结果表明加速度计的线性度提高了一个数量级,因此采用MCU实现加速度计的线性补偿是非常有效的。
2.
The compensation technology for the piezoelectric fluidic angular sensors is discussed, including the principle and program of temperature compensation and linearity compensation.
介绍了压电射流角速度传感器的软件补偿技术,给出了压电射流角速度传感器的温度补偿和线性补偿的原理和程序。
5) non-linear compensation
非线性补偿
1.
The Multifunctional Intellectualized Data logging System that uses AT89C51 as the nucleus is introduced,the system structure of software and hardware,as well as the non-linear compensation method for the system to use linear interpolation combining with searching contrast table are given.
介绍了以AT89C5 1为核心的智能化多功能巡检仪 ,给出了此系统的软、硬件系统结构以及适合本系统要求的线性插值与对分查找相结合的非线性补偿方
2.
It implemented non-linear compensation and filter design etc.
本文提出了一种基于TMS320LF2407的电桥式电涡流传感器的设计,该传感器应用了非线性补偿、滤波器等技术,简化了结构并提高了传感器的性能,具有良好的稳定性及抗干扰能力。
3.
The proportion of different non-linear compensation were set by step control,so that up-and-down movement of earthquake simulation platform was coordinate.
在对地震模拟平台三向六液压缸系统的z轴上4个液压缸进行非线性分析的基础上,用不同的比例系数按分段控制方法进行非线性补偿,使地震平台上升和下降的运行速度保持一致;采用位移差和速度差组成的双闭环结构动态修正PID参数,实现了各轴的自适应同步控制;用零点补偿方法解决了液压系统的泄漏和液压缸的死区造成的稳态误差的问题;用补偿预估模块方便地实现了零点补偿值的自动调整。
6) nonlinearity compensation
非线性补偿
1.
Nonlinearity Compensation Circuits for Temperature Sensors;
温度传感器非线性补偿电路
2.
Temperature and nonlinearity compensation for in-situ concentration measurement of polluted gas with DOAS method
DOAS方法在线测量污染气体浓度的温度与非线性补偿
3.
A method to compensate nonlinearity of platinum resistor temperature sensor is presented using nonlinearity compensation model founded by RBFNN to aim at its nonlinear problem.
针对铂电阻温度传感器应用中存在的非线性问题,提出了应用径向基函数神经网络(RBFNN)强非线性逼近能力进行铂电阻温度传感器非线性补偿的方法。
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条