1) ZnO glass varistors
ZnO-玻璃系压敏电阻器
2) ZnO varistors
ZnO压敏电阻器
1.
Improving of the performance of ZnO varistors by aqueous phase additives.;
液相掺杂法可提高ZnO压敏电阻器的性能
2.
In order to improve the electrical properties of ZnO varistors,the powder of ZnO varistor was fabricated by blending and grinding of ZnO,Sb2O3 and composite nanometer additives prepared by sol-gel method.
将其与ZnO,Sb2O3混合,球磨后按传统工艺制备了ZnO压敏电阻器。
3.
In order to improve the performance of ZnO varistors,the powders of ZnO varistors were fabricated by blending and grinding of ZnO,SiO2 and composite nanometer additives prepared by Sol-Gel method.
为了提高ZnO压敏电阻器的性能,采用Sol-Gel法制备复合纳米添加剂。
3) ZnO varistor
Zno压敏电阻器
1.
Capacitance dispersion in ZnO varistors;
ZnO压敏电阻器中的电容弥散
2.
Study on the influence factor of the humidity resistance of ZnO varistor;
ZnO压敏电阻器耐潮湿性能影响因素的研究
3.
The composited nanometer additives of ZnO varistor were prepared by the Sol-Gel method through lots of experiments on the basis of analyzing the theory of the Sol-Gel method in this dissertation.
本论文在详细的分析溶胶—凝胶法原理的基础上,通过大量的实验,研究制定了制备ZnO压敏电阻器用复合纳米添加剂的合理的溶胶—凝胶工艺,并详细的描述并分析讨论了此过程中所出现的各种实验现象。
4) ZnO based varistor
ZnO压敏电阻器
1.
Pb doped nano-ZnO based varistors were prepared chemical coprecipitation method and their electrical properties were studied in the present paper.
ZnO压敏电阻器的烧结温度为950℃。
2.
Studied were an actions of glass powders which was single or composite in silver paste for ZnO based varistor.
ZnO压敏电阻器对所用银浆附着力要求较高,通过对ZnO压敏电阻器用银浆料中玻璃粉的研究,提出了用复合玻璃粉制备ZnO压敏电阻器用银浆料。
5) glass thermistor
玻璃热敏电阻器
6) ZnO varistor
ZnO压敏电阻
1.
ZnO varistors of large current high ( and high voltage.;
大通流高电压高α值ZnO压敏电阻器
2.
Superposition sintering to control Bi_2O_3 vaporization in ZnO varistors
叠烧对ZnO压敏电阻中Bi_2O_3挥发的控制
3.
This paper presents a theoretical investigation on the coprecipitation coating doping by ammonia for preparing ZnO varistor ceramic powders.
对ZnO压敏电阻粉体共沉淀反应中的既能与NH3也能与OH-络合的金属离子(A类二价金属离子)进行了理论分析和模拟计算,得到了沉淀反应中沉淀系数、络合反应系数及pH值和氨水添加量之间的关系。
补充资料：玻璃热敏电阻器
分子式：
CAS号：
性质：利用某些半导体玻璃的热敏特性制得的微型电阻器件。较常用的有V2O5-P2O5-BaO系，CuO-B2O3-CaO系及MnO-Al2O3-SiO2系等。这类玻璃的导电性是由于过渡金属离子具有两种不同价态而引起的电子跃迁过程的结果。通常是p型半导体。电阻率在10～108Ω·cm之间。载流子密度为1018/cm3。迁移率一般在10-3～10-2cm2(V·s)。氧化物玻璃半导体的熔制温度随组成而变化，当P2O5，WO3等含量增加时熔制温度提高，一般为650～1100℃，退火温度为200～300℃，坩埚可选用陶瓷质或石英质。用途与半导体玻璃相近。可用于制作电子计算机、抗辐射导弹、宇宙飞船和原子能反应堆的器件或部件，还可用于制作电子线路温度补偿敏感元件、红外探测器等。
CAS号：
性质：利用某些半导体玻璃的热敏特性制得的微型电阻器件。较常用的有V2O5-P2O5-BaO系，CuO-B2O3-CaO系及MnO-Al2O3-SiO2系等。这类玻璃的导电性是由于过渡金属离子具有两种不同价态而引起的电子跃迁过程的结果。通常是p型半导体。电阻率在10～108Ω·cm之间。载流子密度为1018/cm3。迁移率一般在10-3～10-2cm2(V·s)。氧化物玻璃半导体的熔制温度随组成而变化，当P2O5，WO3等含量增加时熔制温度提高，一般为650～1100℃，退火温度为200～300℃，坩埚可选用陶瓷质或石英质。用途与半导体玻璃相近。可用于制作电子计算机、抗辐射导弹、宇宙飞船和原子能反应堆的器件或部件，还可用于制作电子线路温度补偿敏感元件、红外探测器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条