1) Raman interaction
喇曼相互作用
1.
Raman interaction of a two-level atom with two--mode cavity fields is studied,The emission spectrum of the atom is catloulated.
研究了单个二能级原子与双模辐射腔场的喇曼相互作用，计算了原子的辐射谱，讨论了双模腔场处于不同数态时辐射谱的新特
2.
A scheme for preparing bipartite and multipartite entangled squeezed vacuum states (SVSs) via the Raman interaction of an Λ-type three-level atom with squeezed vacuum states cavity fields is presented.
提出了利用量子态腔场与原子的喇曼相互作用制备纠缠压缩真空态的方案 在该方案中 ,一个初始制备在基态的原子被依次送入几个初始制备在压缩真空态的微腔中 通过控制原子的运行速度 ,使原子与每一个腔具有相同的相互作用时间 当原子与腔场发生相互作用 ,原子与腔场产生纠缠之后 ,进行原子的测量 当原子被测量处于基态或激发态时 ,按照量子力学波包塌缩原理 ,腔场态将塌缩到相应的纠缠压缩真空态 对纠缠压缩真空态的纠缠性质也进行了简略的讨
3.
The multiphoton Raman interaction of a pair of identical effective two-level atoms with two-mode cavity field is studied.
研究了两个等同有效二能级原子与双模腔场的多光子喇曼相互作用，导出了双模腔场处于任意态时，该系统中两原子辐射谱的一般表达式，并分析了辐射谱的特点。
2) interaction of Raman processes
喇曼过程相互作用
3) Raman interaction
拉曼相互作用
1.
By means of time-evolution operator, we have studied the emission spectrum from two-atom in Bell basis states through the Raman interaction with a cavity-field in the Fock state in the paper.
采用时间演化算符方法 ,研究了Fock态腔场内通过拉曼相互作用的Bell态下两原子的辐射谱 ,给出了原子辐射谱的物理表达式。
2.
The properties of the phase evolution in the system of Raman interaction between two atoms and a single mode cavity field are studied in the cases of two atoms with dipole dipole interaction coupling to the field with different constants.
本文研究了双原子与单模光场拉曼相互作用系统中， 在光场和原子具有不同的耦合并计及原子间偶极－ 偶极相互作用情况下，光场相位的演化特性。
3.
The Raman interaction of a pair of two-level atoms with two-mode cavity fields is studied.
研究了两个双能级原子与双模辐射腔场的拉曼相互作用，计算了两个原子与腔场具有相同耦合常数但同时考虑原子间偶极一偶极相互作用情形下的辐射谱。
4) the Raman interaction
拉曼相互作用
1.
A scheme is presented for the teleportation of an unknown atomic state through the Raman interaction of V type three level atom with a coherent state cavity field of large amplitude.
提出了一种利用简并V型三能级原子与振幅很大的单模相干态腔场的拉曼相互作用来传送未知原子态的方
5) multi Raman effect
多拉曼相互作用
1.
Based on semi classical density matrix theory,multi Raman effect was studied theoretically in the generation of two longitudinal mode CO 2 9R(30) optically pumped cavity NH 3 67.
2μm THz激光过程中的多拉曼相互作用 ,并研究了不同泵浦功率、工作气压和激光管长等工作参数条件下多拉曼相互作用规律和对 6 7。
6) Raman laser action
喇曼激光作用
补充资料：γ射线同物质的相互作用
γ射线在物质中具有较强的穿透本领。能量在10MeV以下的γ射线同物质相互作用时，主要是发生光电效应、康普顿效应、电子偶效应等三种效应。
光电效应 γ光子穿过物质时同原子中的束缚电子相互作用，光子把全部能量交给这一束缚电子，使之克服在原子壳层中的结合能（电离能）而发射出去，这就是光电效应。光电效应截面以一种复杂的方式随入射光子能量和吸收体原子序数而改变，但总的趋势是随光子能量增加而减小，随原子序数增加而增加。在光子能量小于1MeV时，光电效应在三种主要效应中占优势，光电截面在总截面中占主要部分。
康普顿效应 当入射光子能量逐渐增大到1MeV时,γ射线同物质相互作用逐渐由光电效应过渡到康普顿效应。
康普顿效应是γ光子同电子之间的散射。入射γ光子把一部分能量传递给电子，光子本身能量减少并向不同的方向散射，散射效应中获得能量的电子叫反冲电子（图1）。能够发生散射效应的电子既可以是自由电子，也可以是束缚于原子之中的电子。康普顿效应发生在γ光子和电子之间，其作用截面是对单个电子而言的。因此，对原子序数为Z的整个原子,散射截面就是单个电子作用截面的 Z倍。当入射光子能量较高时，截面与光子能量近似成反比。
电子偶效应 是γ光子同物质的第三个重要的相互作用，入射光子同原子核电场或电子电场相互作用都可以产生电子偶效应,发生这个效应的阈能是1.02MeV。在电子偶效应中，入射光子转化为一个正电子和一个负电子,它们的动能是入射光子能量同1.02MeV之差。电子偶效应的截面也是入射光子能量和吸收物质原子序数的函数。当入射光子能量稍大于 1.02MeV时，电子偶效应的截面随光子能量E 线性增加；在高能时，其截面正比于lnE；能量很高时,截面趋近于一个常数。然而不论在高能或低能，截面都正比于吸收体原子序数Z的二次方。
其他效应 除上述主要的三种效应外，γ射线同物质的相互作用还有其他的效应， 如相干散射。 在低能(100keV)时，相干散射是很重要的，尤其是重元素中束缚得比较紧的电子有利于这种散射。这种散射长期以来一直是X 射线晶体学的基础。另外在入射光子能量较高时还有光核反应等。
γ射线的吸收 当γ射线穿过物质时，三种效应都可能发生。在忽略其他效应时，将这三种效应的吸收系数相加就可得到总的线性吸收系数。式中μph、μσ、μp分别表示这三种效应中的吸收系数。图2表示γ射线在铅中产生三种不同效应的几率。
窄束γ 射线在物质中的衰减规律是 或,其中Io、I分别代表穿透前后的γ射线强度,μ是吸收系数，μm是质量吸收系数，ⅹ是γ射线穿过的厚度，ⅹm是质量厚度。
由于γ射线穿过物质时会发生各种效应，同时γ射线又很容易被探测到，使得γ射线在诸如工业探伤、测厚、冶金、自动化、医疗等方面都获得广泛的应用。
参考书目
K. Siegbahn, ed., Alpha-, Beta- and Gamma-Ray Spectroscopy,Vol. 1,North-Holland,Amsterdam,1965.
光电效应 γ光子穿过物质时同原子中的束缚电子相互作用，光子把全部能量交给这一束缚电子，使之克服在原子壳层中的结合能（电离能）而发射出去，这就是光电效应。光电效应截面以一种复杂的方式随入射光子能量和吸收体原子序数而改变，但总的趋势是随光子能量增加而减小，随原子序数增加而增加。在光子能量小于1MeV时，光电效应在三种主要效应中占优势，光电截面在总截面中占主要部分。
康普顿效应 当入射光子能量逐渐增大到1MeV时,γ射线同物质相互作用逐渐由光电效应过渡到康普顿效应。
康普顿效应是γ光子同电子之间的散射。入射γ光子把一部分能量传递给电子，光子本身能量减少并向不同的方向散射，散射效应中获得能量的电子叫反冲电子（图1）。能够发生散射效应的电子既可以是自由电子，也可以是束缚于原子之中的电子。康普顿效应发生在γ光子和电子之间，其作用截面是对单个电子而言的。因此，对原子序数为Z的整个原子,散射截面就是单个电子作用截面的 Z倍。当入射光子能量较高时，截面与光子能量近似成反比。
电子偶效应 是γ光子同物质的第三个重要的相互作用，入射光子同原子核电场或电子电场相互作用都可以产生电子偶效应,发生这个效应的阈能是1.02MeV。在电子偶效应中，入射光子转化为一个正电子和一个负电子,它们的动能是入射光子能量同1.02MeV之差。电子偶效应的截面也是入射光子能量和吸收物质原子序数的函数。当入射光子能量稍大于 1.02MeV时，电子偶效应的截面随光子能量E 线性增加；在高能时，其截面正比于lnE；能量很高时,截面趋近于一个常数。然而不论在高能或低能，截面都正比于吸收体原子序数Z的二次方。
其他效应 除上述主要的三种效应外，γ射线同物质的相互作用还有其他的效应， 如相干散射。 在低能(100keV)时，相干散射是很重要的，尤其是重元素中束缚得比较紧的电子有利于这种散射。这种散射长期以来一直是X 射线晶体学的基础。另外在入射光子能量较高时还有光核反应等。
γ射线的吸收 当γ射线穿过物质时，三种效应都可能发生。在忽略其他效应时，将这三种效应的吸收系数相加就可得到总的线性吸收系数。式中μph、μσ、μp分别表示这三种效应中的吸收系数。图2表示γ射线在铅中产生三种不同效应的几率。
窄束γ 射线在物质中的衰减规律是 或,其中Io、I分别代表穿透前后的γ射线强度,μ是吸收系数，μm是质量吸收系数，ⅹ是γ射线穿过的厚度，ⅹm是质量厚度。
由于γ射线穿过物质时会发生各种效应，同时γ射线又很容易被探测到，使得γ射线在诸如工业探伤、测厚、冶金、自动化、医疗等方面都获得广泛的应用。
参考书目
K. Siegbahn, ed., Alpha-, Beta- and Gamma-Ray Spectroscopy,Vol. 1,North-Holland,Amsterdam,1965.
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条