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1)  Al xGa 1-xN/GaN heterostructure
AlxGa1-xNGaN异质结构
2)  Al x Ga 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结构
3)  GaN/Al_xGa_1-xN heterojunction
GaN/AlxGa1-xN异质结
1.
A modified variational method is adopted to investigate the binding energies of the shallow impurity states near the interface of a strained GaN/Al_xGa_1-xN heterojunction by using a simplified coherent potential approximation.
对应变GaN/AlxGa1-xN异质结系统,考虑理想界面突变势垒,引入简化相干势近似,采用变分法讨论了流体静压力下外界电场对束缚于界面附近的浅杂质态结合能的影响。
4)  Al xGa 1-x N/GaN heterostructure
AlxGa1-xN/GaN异质结
5)  GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure
GaAs/AlxGa1-xAs异质结
1.
In 1996, the group Pepper of Cavendish Laboratory not only observed the giant oscillation in the acoustoelectric current induced by the surface acoustic wave (SAW) as function of the split gate voltage when SAW launched along the quasi-one-dimensional electron channel defined in a GaAs/AlxGa1-xAs heterostructure by split gate but also fou.
1996年剑桥大学凯文迪什实验室的Pepper小组在实验中观察到,表面声波在GaAs/AlxGa1-xAs异质结表面上沿由分裂门产生的准一维电子通道方向传播时,在通道内诱导产生的声电电流随门电压振荡,且在一维通道钳断的情况下,声电电流是量子化的,其值为,其中为正整数,为表面声波的频率,是电子电荷。
6)  heterojunction [,hetərə'dʒʌŋkʃən]
异质结构
1.
The heterojunction TiO2/Fe2O3 composite films were prepared by sol-gel method.
采用溶胶-凝胶法制备了TiO2/Fe2O3异质结构的复合薄膜,运用XRD、AFM、紫外-可见光投射光谱等对薄膜的微结构、透光率及其光催化特性进行了表征,分析了薄膜结构对光催化性能的影响,并就可见光催化机理进行了探索。
补充资料:结构镜质体(镜质组)


结构镜质体(镜质组)


14.结构镜质体(镜质组,
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