1) nonlinear contractive mapping
非线性压缩映象
2) nonlinear sequence of quasi-contractive mapping
非线性拟压缩映象序列
3) Generaliged Nonlinear Contractive Mapping
广义非线性压缩映象
4) nonlinear qusi cotrative mappings sequence
非线性拟压缩映射序列
5) Nonlinear mapping
非线性映象
1.
In this paper,we discuss the existence of fixed point for nonlinear mappings in product spaces and give some new fixed point theorems.
本文在乘积空间中讨论一类非线性映象的不动点的存在性，得到了一些新的不动点定理。
6) contraction mapping
压缩映象
1.
This paper studies fixed points theorems about contraction mapping on probabilistic normed space.
本文对完备的局部有界的概率赋范空间和完备的邻域N-局部凸概率赋范空间上的压缩映象,证明其存在唯一的不动点,并给出在一类Frechet空间上的应用。
2.
The contraction mapping principle can be used to solve many problems of the existence and uniqueness of equation solution.
在代数方程、微分方程和积分方程的求解问题中,通常把所求的解归结为度量空间中映射的不动点,然后应用压缩映象原理来统一处理许多方程解的存在性和唯一性问题。
3.
We also introduce some fixed point Theorems for contraction mappings and common fixed point theorems For set-valued mappings in topological spaces with topological Distances family.
介绍了我们在不动点定理方面的一些最新结果 ,包括 :拓扑空间中 Meir- Keeler型映象的不动点定理 ,有序拓扑空间中增算子和多值增映射的不动点定理 ,拓扑空间中压缩映象的不动点定理和多值映象的公共不动点定理 。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条