1) photodetector of silicon
硅光探测器
2) silicon photodetector
硅光伏探测器
1.
of temperature compensation of silicon photodetector, and point out their adaptable conditions and compensational accuracy.
根据对沥清-苯溶液浓度测试仪中进行温度补偿的实践，介绍了三种对硅光伏探测器温度补偿的方法，并指出了这三种方法各自适应的情况及补偿精度的高低。
2.
This paper presents the design method of silicon photodetector amplification circuit in bitumen benzene solution density intelligent measurer, and points out some problems that should be considered when this kind of circuits is designed.
介绍了沥清－苯溶液浓度智能检测仪中硅光伏探测器放大电路的设计方法，并指出在设计这类电路时所应注意的问题。
4) silicon detector
硅探测器
1.
It is made of static high voltage collecting cylinder room, appropriative pump, samping system, filtrator, a silicon detector and a surface - barrier semiconductor detector.
含有两个探测器(测量氧子体的φ20mm的硅探测器和测量氡浓度的φ30mm金硅面垒探测器)。
5) quadrant Si-photoelectric detector
四象限硅光电探测器
1.
A novel dual axis small angle measuring method is introduced, which uses optics self-collimating structure and quadrant Si-photoelectric detector.
由于该装置采用了光电自准直结构,以高灵敏度的四象限硅光电探测器作为检测元件,采用交流调制,锁相放大的方法对信号进行了处理,所以有效地消除了直流漂移的影响,提高了稳定性和测试精度。
6) p-i-n silicon photodetector
p-i-n硅光电探测器
补充资料：辐射探测器用硅单晶
辐射探测器用硅单晶
silicon crystal for radiation detector
fushe toneeqlyong guldonjrng辐射探测器用硅单晶(silieon crystal for ra-diation deteetor)用于X射线探测器的半导体材料。硅可用于制作结型、面晶型、锉漂移型等多种射线辐射探测器。虽然各种探测器都有自己的特殊要求，但其共同的要求是:碳含量低于2x1016/c m3;氧含量低于lxlo‘6/cm“;深能级杂质如铁、镍等低于1丁‘。g/g;少子寿命大于500娜;对微缺陷的种类与分布要进行控制等。这些单晶均用区熔法制成。为达到高纯的目的，要采用基磷与基硼含量很低的多晶，以硅烷法多晶为主。在成晶前需进行多次真空区熔提纯，提纯过程应避免碳等杂质的污染，并保持真空度不高于10一甲a。对n型高阻单晶，现在多采用中子擅变掺杂法以保证良好的均匀性。材料的适用性常以作出探测器的性能参数作为主要的判据。单晶的需求量不大。 (那云英)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条