2) deep sub micrometer VLSI
深亚微米超大规模集成电路
4) Deep Sub-micron Integrated Circuit
深亚微米集成电路
1.
ESD Protection in Deep Sub-micron Integrated Circuit;
深亚微米集成电路中的ESD保护问题
6) VDSM
超深亚微米
1.
Antenna Effect in VDSM IC Design;
超深亚微米IC设计中的天线效应
2.
A Fast Algorithm of Imaging for Simulation of Photolithographic Process in VDSM;
一种超深亚微米下IC光刻透射成像的快速算法
3.
The Physical Design Solution for Million-Gate SoC Under VDSM;
超深亚微米下百万门级系统级芯片的物理设计方案
补充资料：超大规模集成电路
分子式：
CAS号：
性质：它是大规模集成电路的集成度不断提高而出现的新概念，一般认为，集成度达1万个门电路或10万个元件以上的大规模集成电路，称为超大规模集成电路，即集成度为256K；线宽尺寸为1.2～1.5μm。它的最显著的特点是具有整机功能。
CAS号：
性质：它是大规模集成电路的集成度不断提高而出现的新概念，一般认为，集成度达1万个门电路或10万个元件以上的大规模集成电路，称为超大规模集成电路，即集成度为256K；线宽尺寸为1.2～1.5μm。它的最显著的特点是具有整机功能。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条