1) Nonlinear Causality Test
非线性因果关系检验
2) non-linear Granger causality
非线性Granger因果关系检验
4) causality test
因果关系检验
1.
Then,the cointegration theory and Granger causality test were introduced into the investigation to make an empirical analysis in time series to verify the oil consumption in relation to GDP.
在此基础上,运用协整理论和Granger因果关系检验理论,按照不同的时间序列对中国石油消费与经济增长之间的关系进行了实证分析。
2.
Based on the statistics data from 1991 to 2005 issued by the National Bureau of Statistics of China,the relationship between sci-tech intermediate development and economic growth in China are empirically analyzed by using the methods of Granger s causality test and regression analysis.
文章以国家统计局发布的1991—2005年统计数据为基础,运用计量经济学中Granger Causality因果关系检验法和回归分析法对中国科技中介发展与经济增长之间的关系进行了实证研究。
5) Granger causality test
Granger因果关系检验
1.
By using Johansen multivariable co-integration test and Granger causality test, the results demonstrate that there is long-term stable c.
运用Johansen多变量协整关系检验及Granger因果关系检验。
2.
Based on the unit root test and Granger causality test,this paper analyzes the relationship between human capital and economic growth in china.
应用单位根检验和Granger因果关系检验法对我国人力资本与经济增长之间的关系进行了分析,检验了物质资本投资、劳动力投入以及人力资本与国内生产总值之间的关系。
3.
In this article,the relationship between the export trade of Shandong province and its energy consumption is analyzed by co-integration and Granger causality test,with the conclusions drawn as follows: 1) The positive relationship between the energy consumption and the export trade is significant;2) The growth of the export both influences the energy consumption and is subject to it.
通过对山东省能源消费与出口贸易关系进行协整与Granger因果关系检验,得到如下结论:山东省能源消费与出口贸易之间存在较强的正相关性;山东省出口贸易规模的发展既影响着能源的消费量,又受到能源消费量的制约。
补充资料：半导体非线性光学材料
半导体非线性光学材料
semiconductor nonlinear optical materials
载流子传输非线性:载流子运动改变了内电场，从而导致材料折射率改变的二次非线性效应。④热致非线性:半导体材料热效应使半导体升温，导致禁带宽度变窄、吸收边红移和吸收系数变化而引起折射率变化的效应。此外，极性半导体材料大都具有很强的二次非线性极化率和较宽的红外透光波段，可以作为红外激光的倍频、电光和声光材料。 在量子阱或超晶格材料中，载流子的运动一维限制使之产生量子尺寸效应，使载流子能态分布量子化，并产生强烈的二维激子效应。该二维体系材料中激子束缚能可达体材料的4倍，因此在室温就能表现出与激子有关的光学非线性。此外，外加电场很容易引起量子能态的显著变化，从而产生如量子限制斯塔克效应等独特的光学非线性效应。特别是一些11一VI族半导体，如Znse/ZnS超晶格中激子束缚能非常高，与GaAs/AIGaAs等m一V族超晶格相比，其激子的光学非线性可以得到更广泛的应用。 半导体量子阱、超晶格器件具有耗能低、适用性强、集成度高和速度快等优点，以及系统性强和并行处理的特点。因此有希望制作成光电子技术中光电集成器件，如各种光调制器、光开关、相位调制器、光双稳器件及复合功能的激光器件和光探测器等。 种类半导体非线性光学材料主要有以下4种。 ①111一V族半导体块材料:GaAs、InP、Gasb等为窄禁带半导体，吸收边在近红外区。 ②n一巩族半导体量子阱超晶格材料:HgTe、CdTe等为窄禁带半导体，禁带宽度接近零;Znse、ZnS等为宽禁带半导体，吸收带边在蓝绿光波段。Znse/ZnS、ZnMnse/ZnS等为蓝绿光波段非线性光学材料。 ③111一V族半导体量子阱超晶格材料:有GaAs/AIGaAs、GalnAs/AllnAs、GalnAs/InP、GalnAs/GaAssb、GalnP/GaAs。根据两种材料能带排列情况，将超晶格分为I型(跨立型)、n型(破隙型)、llA型(错开型)3种。 现状和发展超晶格的概念是1969年日本科学家江崎玲放奈和华裔科学家朱兆祥提出的。其二维量子阱中基态自由激子的非线性吸收、非线性折射及有关的电场效应是目前非线性集成光学的重要元件。其制备工艺都采用先进的外延技术完成。如分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD或MOVPE)、化学束外延(CBE)、金属有机分子束外延(MOMBD、气体源分子束外延(GSMBE)、原子层外延(ALE)等技术，能够满足高精度的组分和原子级厚度控制的要求，适合制作异质界面清晰的外延材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条