1) high purity Tin
高纯锡
1.
The paper is about a method of concentration of impurity Pb in high purity Tin by way of chlorination to separate the matrix and determination by ICP-MS.
文章研究了高纯锡分离基体富集杂质元素的方法,及采用ICP-MS测定杂质元素Pb的方法探索。
2) high purity metal tin
高纯锡锭
1.
in high purity metal tin by utrasonic nebulization inductively coupled plasma-atomic emission spectrometry is reported.
建立了高纯锡锭中砷、锑、镉等１２种痕量杂质元素的超声雾化－ＩＣＰ－ＡＥＳ测定方法。
3) high-purity metal tin
高纯金属锡
1.
Nine trace impurities in high-purity metal tin were determined by inductively coupled plasma atomic emission spectrometry.
采用电感耦合等离子体发射光谱法测定高纯金属锡中9种痕量元素。
4) high-purity tetraethyltin
高纯四乙基锡
5) high-purity tetramethyltin
高纯四甲基锡
6) pure tin
纯锡
1.
In these processes, electroplating pure tin finishes on electronic components are a leading contender to replace the industry standard tin-lead.
但世界各国正在不断颁布严格的法规限制电子产品中铅的使用,在这样的背景下,国内外都在积极开发无铅电镀工艺,其中电镀纯锡工艺得到电子厂商的普遍认可。
补充资料：高纯四甲基锡
分子式：(CH3)4Sn
CAS号：
性质：熔点-53℃。沸点78℃。密度1.315g/cm3。纯度≥99.999％。在18～78.9℃范围内蒸气压方程lgp(mmHg)=7.495-1620/T(T为热力学温度，K；1mmHg=133.3Pa)。采用精密精馏法和分子蒸馏法提纯。它是热力学稳定的可燃液体。用于制备氧化锡导电薄膜的锡源，作III～V族半导体，尤其是GaAs的n型掺杂源。
CAS号：
性质：熔点-53℃。沸点78℃。密度1.315g/cm3。纯度≥99.999％。在18～78.9℃范围内蒸气压方程lgp(mmHg)=7.495-1620/T(T为热力学温度，K；1mmHg=133.3Pa)。采用精密精馏法和分子蒸馏法提纯。它是热力学稳定的可燃液体。用于制备氧化锡导电薄膜的锡源，作III～V族半导体，尤其是GaAs的n型掺杂源。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条