1) single charge tunneling
单电荷隧穿
2) single electron tunneling
单电子隧穿
1.
The apparent Coulomb blockade and single electron tunneling are observed in the current voltages characteristics of the SETs at 77K.
提供了一种制备量子线和量子点的工艺方法 ,在器件的电流、电压特性上可观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效应。
2.
The generation mechanisms of these physical phenomena of Coulomb blockade, Coulomb staircase, single electron tunneling were described with single electron transistor(SET) as the research object.
以单电子晶体管为研究对象,系统阐述了库仑阻塞、库仑台阶、单电子隧穿等物理现象的产生机理。
3.
Coulomb blockade and single electron tunneling are observed in the SETs.
本文介绍了几种用电子束光刻、反应离子刻蚀方法制备硅量子线、量子点和用电子束光刻、电子束蒸发以及剥离技术制备纳米金属栅的工艺方法 ;用这种工艺方法在P型SIMOX硅片上成功制造的一种单电子晶体管 ,在其电流电压 特性上观测到明显的库仑阻塞效应和单电子隧穿效
3) single electron tunneling
单电子隧道贯穿
4) tunneling current
隧穿电流
1.
The external condition could induce the change of piezoelectric field in superlattices and further induce the change of tunneling current.
外界条件可引起超晶格中内建电场的变化,进而引起隧穿电流的变化。
2.
Results show that with the increment of doping level, the peak tunneling current density increases for GaInP/GaAs tandem solar cells, and the performance of GaInP tunnel junctions are much better than GaAs tunnel junctions.
主要应用高掺杂的p n结理论进行隧道结的计算研究工作 ,针对GaInP/GaAs双结电池的结构 ,选择不同的宽禁带材料研究隧道结I V特性以及不同的掺杂浓度对于其I V特性的影响 ,寻找出掺杂浓度与隧穿电流的关系曲线。
3.
The gate direct tunneling current in ultra-thin oxide is computed with different device parameters.
采用自洽解方法求解一维薛定谔方程和二维泊松方程,得到电子的量子化能级和相应的浓度分布,利用MWKB方法计算电子隧穿几率,从而得到不同栅偏置下超薄栅介质MOSFET的直接隧穿电流模型。
5) tunnelling electrons
隧穿电子
6) tunneling resistance
隧穿电阻
1.
Quantum calculations of tunneling resistance in single electron transistors;
单电子晶体管隧穿电阻的量子计算
补充资料：隧穿效应
分子式：
CAS号：
性质：见隧道效应。
CAS号：
性质：见隧道效应。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条