1) organic crystalline material
有机晶体材料
2) crystal material
晶体材料
1.
Orientated polycrystal, quasi-single crystal or single-crystal materials can be easily distinguished, and the crystal quality of quasi-single and orientated crystal materials in proc.
通过这种方法可直观地区分取向多晶、准单晶或者单晶体,评定研制过程中准单晶和择优取向材料的晶体品质;确定单晶、准单晶及择优取向等材料的晶面相对宏观端面的晶向偏离角和取向分散度;还可对单晶体材料进行三维晶面定向。
3) crystal materials
晶体材料
1.
In this paper,tungsten bronze (TB)crystal structure is discussed,and application of molecule design in TB crystal materials research and its latest progress are explained.
在TB型晶体结构讨论的基础上,着重阐述分子设计的方法在TB型晶体材料研究中的具体运用,以及近年来所取得的新进展;指出了国内在TB型晶体材料研究方面与国外存在的差距和今后的努力方向。
2.
This paper briefly reviews the history of past half century and recent progress of crystal growth and crystal materials in China.
中国晶体生长和晶体材料已走过了半个世纪,适逢今年也是我国改革开放30周年。
4) Organic semiconductor material
有机半导体材料
1.
Traditional transistors are made of unorganic semiconductor material, in which silicon is the most common.
近年来,对有机半导体材料制成的有机半导体器件的研究已经成为热点,并且有机器件已经在显示器驱动等诸多领域成功应用。
5) organic solid material
有机固体材料
补充资料：半导体材料晶体结构
半导体材料晶体结构
crystal structure of semiconductor
bondoot.eail旧0 Jingt一J旧gou半导体材料晶体结构(crystal Strueture。fsemieonduetor)决定半导体材料的基本物理特性，即原子或离子的长程有序的周期性排列。按空间点阵学说，晶体的内在结构可概括为一些相同点在空间有规则地作周期性的无限分布。点子的总体称为点阵，通过点阵的结点可作许多平行的直线组和平行的晶面二舞翅嚷组。这样，点阵就成网格，称为晶格。由于晶格的周期性，可取一个以格点为顶点、边长等于该方向上的周期…井汗…下洲物半导体中有部分呈黄铜矿型结构，金刚石型、闪锌矿;燕蒸封甲下硫原子呈六砷堆集，而锌原子则占据四面体间隙的常见的半导体材料的晶体结构类型一半，与闪锌矿相似，它们的每一个原子场处于异种原.二。「{，二，、。**、， .，二、。，二，，，、，扒，。.J目子*.j/J、J二~J兀11们、a一金刚石型;b一闪锌矿型;子构成的正四面体中心。但闪锌矿结构中，次近邻异种一纤锌矿型;价一氮化钠型原子层的原子位置彼此错开60。，而在纤锌矿型中，则是上下相对的。采取这种方式使次近邻异种原子的距选一格点为原点O，令坐标轴与晶轴重合，选择或平移离更近，会增强正负离子的相互吸引作用，因此，纤锌通过原点O的晶列。在晶列上任选一点A，作矢量矿型多出现于两种原子间负电性差大、化学键中离子成，用基矢表示丽一r升s砰。万。将r、s、。三数化碳议”间创一兀1七甘刊甲。为互质整数m、n、p，记作〔m，n，p〕，即晶向指数。它标灌…冀- 面，面间间距最大，而共价键密度最低，{110}面次之。 在晶格中过格点可连成无数直线，这样的直线叫因此，硅、锗晶片易沿{111}面解理，{110}面是第二解晶列。格点在晶列上呈周期分布。一系列平行的晶列叫理面，常常用于划片。闪锌矿结构存在极性，晶片易沿晶列组。晶列组的取向叫晶向，用晶向指数标示。设想{11。}面解理。{10。}和(110)硅片比(1 11)硅片易破碎。硅片界面态和固定电荷按(211)>(110)>(100)顺序降低。因此，金属氧化物半导体(MOS)等表面器件采用(100)硅片而不采用(111)硅片。腐蚀速率随悬挂键密度增加而增大，硅片腐蚀速率按<100)>(11。)>(111)顺序减少，利用各向异性腐蚀通过510:掩膜在(100)硅片上开出V一沟槽。GaAS的(111)A面和(111)B面具有不同的腐蚀特性，A面出现蚀坑，B面则无。AISb、 Insb、InAS、InP也有类似现象。GaAS晶体生长时，B面生长速度最慢。外延生长也有极性效应，且对杂质的掺入、补偿度等有影响，硅、锗晶体生长以[111]晶向最慢。
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参考词条