2) SiCOH films
SiCOH薄膜
1.
F-SiCOH films were prepared in electron cyclotron resonance chemical vapor deposition (ECR-CVD) system using DMCPS/CHF3 mixture.
根据薄膜结构和成分的傅立叶变换红外光谱仪(FTIR)、X射线光电子能谱(XPS)以及放电等离子体中基团分步的光强度标定的发射光谱(OES)分析可知:薄膜沉积速率的变化是由于CHF3进气量的增加导致薄膜生长从以沉积F-SiCOH薄膜为主过渡到以沉积氟化非晶碳(a-C:F:H)薄膜为主的结果。
2.
Carbon-doping oxide materials (SiCOH films) with k of 2.
62的SiCOH薄膜。
3.
Using decamethylcyclopentasioxane ([Si(CH 3) 2O] 5 as liquid pr ecursor, SiCOH films, which have low dielectric constant (low k), good insul ating ability and thermal stability, were prepared by electron cyclotron resonan ce chemical vapor deposition (ECR_CVD).
以十甲基环五硅氧烷为反应源、采用电子回旋共振等离子体化学气相沉积 (ECR_CVD)方法制备了具有低介电常数 ,且电绝缘性能和热稳定性优良的SiCOH薄膜 。
3) porous SiCOH ultra-low-k film
多孔SiCOH薄膜
4) DF-CCP
SiCOH薄膜刻蚀
1.
12MHz/2MHz、60MHz/2MHz dual-frequency capacitively couple plasma (DF-CCP) of CHF3 and the etching of SiCOH film.
与传统SiO2介质的刻蚀相比较,由于SiCOH薄膜中存在孔隙,因此刻蚀率随着薄膜密度的降低而增加,从而导致薄膜粗糙度增加、侧向微枝结构的形成和刻蚀深度发生改变,结果难以实现SiCOH薄膜刻蚀过程的精确控制。
5) high k dielectric film
高k薄膜
6) K(TCNQ) thin film
K(TCNQ)薄膜
补充资料：低都儿低
1.低而又低，很低。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条