1) Si-H
Si-H组态
2) Si(111) H surface
Si(111)H表面
3) "Si-Cl-H" system
"Si-Cl-H"体系
4) Si-C-H film
Si-C-H薄膜
1.
Si-C-H films,grown at 300 ℃ by rf plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) with hydrogen-diluted silane and methane mixture, was annealed at 650 ℃ in nitrogen atmosphere.
本实验采用射频PECVD方法以高氢稀释的SiH4和CH4混合气体,在300℃低温下生长出了Si-C-H薄膜,并对沉积的薄膜在N2氛围中进行了退火研究。
5) nc-Si∶H films
nc-Si∶H薄膜
6) H state
H态
1.
The phase transitions under electric field are researched which include planar texture state(P state) to focal conic texture state(FC state) and homeotropic state(H state) to planar texture state or focal conic texture state.
研究在电场作用下多畴结构胆甾相液晶显示器件相变,包括平面织构态(P态)到焦锥织构态(FC态)的相变;场致向列态(H态)到P态和FC态的相变。
补充资料：电子组态
| 电子组态 electron configuration 原子内电子壳层排布的标示。又称电子构型。原子中的电子排布组成一定的壳层，例如 ，硅原子的电子组态是 1s22s22p63s23p2，表示其14个电子中2个排布在1s态，2个排布在2s态，6个排布在2p态，2个排布在3s态和最后 2 个电子排布在3p态，有时可简示为 3s23p2如果一个电子激发到4s态，则相应的电子组态为1s22s22p63s23p4s。或简示为3s23p4s。电子组态清楚地显示出核外电子的排布状况。 |
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条