1) chemical vapor deposition (RT-CVD)
反应热化学气相沉积
2) chemical vapor deposition reactor
化学气相沉积反应器
3) thermal chemical vapor deposition(TCVD)
热化学气相沉积
4) inverse chemical vapor deposition
反向化学气相沉积
5) hot filament chemical vapor deposition
热丝化学气相沉积
1.
Study of diamond film by direct current cathode-hot filament chemical vapor deposition;
直流等离子体-热丝化学气相沉积金刚石薄膜的研究
2.
Diamond films are deposited on tungsten carbide YG6 by hot filament chemical vapor deposition.
采用热丝化学气相沉积法在YG6硬质合金基体上制备出了金刚石薄膜,研究了基片与热丝间的距离以及负偏压对金刚石薄膜的生长取向和内应力的影响。
3.
The existed hot filament chemical vapor deposition(HFCVD) system is improved.
首先对热丝化学气相沉积(Chem ica l vapor depos ition,CVD)系统进行改造,设计了在真空室外对室内试样进行操纵的机械手系统和储料台,实现了一次热丝碳化后完成多个不同工艺条件下试样的连续沉积。
6) HFCVD
热丝化学气相沉积
1.
Polycrystalline silicon thin films were prepared by hot-filament chemical vapor deposition(HFCVD) on glass at low-temperatures.
采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)在普通玻璃衬底上低温沉积多晶硅薄膜。
2.
Two-dimension coupled model of the temperature filed, velocity field and density field was developed according to the geometry and technology parameters in hot filament chemical vapor deposition (HFCVD) diamond film.
根据热丝化学气相沉积(HFCVD)金刚石薄膜的几何特点和工艺参数,建立了该系统的二维温度场、速度场和密度场 的耦合模型。
3.
When the relative parameters of hot filaments were fixed at the optimal values, the irradiance distribution and the temperature distribution of substrate were simulated during the growing process HFCVD diamond films.
热丝化学气相沉积（HFCVD）生长金刚石膜过程中,在热丝相关工艺参数取优化值的前提下,对热辐射平衡体系中衬底表面辐照度和衬底温度的空间分布进行了模拟计算,探讨了衬底横向热传导对衬底温度分布的影响。
补充资料：热化学气相沉积
分子式：
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
CAS号：
性质：利用高温激活化学反应进行气相生长的方法。按其化学反应形式可分成三大类：（1）化学输送法；（2）热分解法；（3）合成反应法。第一类一般用于块状晶体生长；第二类通常用于薄膜材料生长；第三类则两种情况都用。TCVD应用于半导体材料，如Si，Ge，GaAs，InP等各种氧化和其他材料。广泛应用的CVD技术，如MOCVD、氯化物化学气相沉积、氢化物化学气相沉积等均属于TCVD的范围。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条