1) Error of Two-dimensional Location
二维定位误差
2) Positioning Error
定位误差
1.
Application of Differential Method in Calculating the Positioning Error;
微分法在定位误差计算中的应用
2.
A way to seek the positioning error according to drawing software;
利用绘图软件求解定位误差值的方法
3) orientation error
定位误差
1.
Phase radio nevigation system: reasonable position and orientation error;
相位无线电导航系统主、副台的合理布设及其定位误差分析
2.
It analyses the influences of fixing bearing angel size on orientation error,it puts forward the approach to improve grinding precision through adjusting fixing bearing angel.
通过对固定支承外圆无心磨削时工件表面产生周期性误差及固定支承角的大小对定位误差影响的原因分析,提出了利用调整固定支承角的方法提高磨削加工精度的途径,指出在零件生产规模达到一定批量时,应首先找出零件上原始形状误差的分布规律,在此基础上,通过优化调整无心磨床支承角,使工件原始周期性形状偏差引起的周期性形状误差达到最小化。
3.
This paper points out some errors of calculation formulae of workpiece orientation error when round orifices are oriented in "Jig of machine tool design"published by several universities,and some correct formulae are give
针对几所重点大学所编《机床夹具设计》教材中有关工件以圆孔定位时定位误差的计算公式的错误 。
4) position error
定位误差
1.
An experimental study of position errors in the feed-driving system of numerical control machine;
数控机床进给传动系统定位误差的实验研究
2.
Application of Auto in the Position Error of Computing;
AutoCAD在计算定位误差中的应用
5) locating error
定位误差
1.
Application of tolerance zone to calculating locating error with two points method through calculation;
公差带在两点法计算定位误差中的应用
2.
Computer-aided Analysis for 3D Locating Error of Fixture;
夹具三维定位误差的计算机辅助分析
3.
Firstly,the type of the combination of the locating edge and the type of the locating elements are listed;secondly,the locating error of the combination of the locating-edge and the locating elements is analyzed;thirdly,the quality of the locating plan is determined by selecting the error factor as evaluating index;lastly,the approach is proved by some examples.
为了对孔系组合夹具定位方案的定位质量进行评价,首先给出工件侧定位边组合的类型和定位元件的类型,并对工件侧定位边和定位元件的组合进行定位误差的定性分析,通过确定评价定位方案定位质量的指标——误差因子,实现对定位方案定位质量的排序,最后的实例验证了方法的正确性。
6) Location error
定位误差
1.
Study on the foundation of library for machine tool built-in 3D fixture parts base on Pro/E and location error Analysis;
基于Pro/E的机床组合夹具三维元件库的建立和定位误差的分析
2.
Confirm the calculation and disposal of location error of workpiece clamping scheme;
确定工件装夹方案中定位误差的计算与处理
3.
How to use computer data to solve the problems in the location error;
定位误差的计算机数据处理
补充资料：一维和二维固体
某些固体材料具有很强的各向异性，表现出明显的一维或二维特征，统称为低维固体。其中包括：具有链状结构(例如聚合物TaS3、TTF-TCNQ等)或层状结构（例如石墨夹层、NbS2等）的三维固体;表面或界面层(例如半导体表面的反型层);表面上的吸附层（例如液氦表面上吸附的单电子层,石墨表面上吸附的惰性气体层）;薄膜和金属细丝等。按其物理性质这些材料可分为低维导体(例如一维导体TTF-TCNQ，二维导体AsF5的石墨夹层)，低维半导体（例如一维的聚乙炔），低维超导体（例如一维的BEDT-TTF、二维的碱金属石墨夹层），低维磁体（例如一维的CsNiF3、二维的CoCl2石墨夹层）等。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
当然,由于在链之间或层之间仍存在着一些耦合,这些体系是准一维或准二维的。
近年来低维固体的研究取得了较快的发展，一个原因是许多有应用前景的新材料（例如聚合物、石墨夹层化合物、MOS电路等）具有一、二维的结构,另一个原因是一、二维体系具有三维体系所没有的一些物理特性。
一维导体对于电子-点阵相互作用是不稳定的，在低温下要变为半导体或绝缘体，这称为佩尔斯相变。由此还会形成一种新的元激发──孤子。在相变前能带半满的情形，带电孤子没有自旋，中性孤子有自旋。理论上还预言，在某些情况下孤子的电荷可以是电子电荷的分数倍。
二维电荷系统（半导体表面的反型层或异质结）处于强外磁场中时，随着磁场的变化，霍耳电阻阶跃地变化:n是整数(1980年发现)或有理分数(1982年发现),h是普朗克常数，RH是霍耳系数，e是电子电荷。这称为量子化霍耳效应，其物理原因还正在研究中。三维体系的霍耳电阻随磁场连续变化。
对于短程相互作用的二维体系,在热力学极限下,温度高于绝对零度时不存在长程序，从而也没有与该长程序相对应的相变（例如铁磁-顺磁相变、正常态-超导态相变等）。但是,某些二维体系可发生另一种相变,是由涡旋状的元激发（例如液氦薄膜中的涡旋流线，二维点阵中的位错等）引起的，在低温下正负涡旋相互吸引而形成束缚对，当温度超过某临界温度后，束缚对被热运动所拆散而出现独立运动的涡旋，与此对应的相变过程称为科斯特利兹－索利斯(Kosterlitz－Thouless)相变，简称K-T相变。
1979年在液氦表面所吸附的单电子层中，观察到低密度电子气所形成的六角形电子点阵，证实了E.P.维格纳在30年代的理论预言，它是目前最理想的二维固体。
二维等离子体和三维的也很不一样。对于长波的振荡频率，前者趋向于零,后者趋向于（这里n是电荷密度,m是粒子质量）；对于屏蔽后的电势，前者是四极矩势，后者是指数衰减。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条