1) scan drive circuit
扫描驱动电路
2) scan driver intergrated circuit
扫描驱动集成电路
1.
0 μm standard CMOS process was developed for plasma display panel(PDP) scan driver intergrated circuit(IC).
介绍了等离子显示板(PDP)扫描驱动集成电路(IC)的结构和工作原理,提出了一种与2。
3) scan driver
扫描驱动
1.
Based on independent research of bipolar-CMOS-DMOS high voltage processes,a new plasma display panel scan driver IC for 42″ digital TVs is implemented.
在自主研发国内BCD高压工艺的同时,设计并实现了一款用于42″数字电视PDP平板显示屏的扫描驱动芯片。
4) scanning circuit
扫描电路
1.
The cluster of non-linearity coefficient ε curves of scanning circuit;
扫描电路的非线性系数ε曲线簇
2.
This paper discussed the relationship among the relative amplitude error of scanning circuit and the power utilization factor,the jumping change and leaping change time,and the relative time error;and also pointed out the relative amplitude error of scanning circuit is a factor(-1 to 1),which has its limit value in practice,and is smaller than the relative time error.
论述了扫描电路的相对幅差与电源利用系数、跳变或跃变时间和相对时差等的关系,并说明相对幅差是一个比相对时差还小的、在-1到1之间变化的系数,而且实际应用中有它的极限值。
5) sweep circuit
扫描电路
1.
And the use of its sweep circuit is expounded.
引入了时差概念 ,分析了一种数控精密压控振荡器的性能及时间误差 ,并阐明了其扫描电路的用途 。
6) Scan circuit
扫描电路
1.
In view of the dissatisfactory linearity of the output voltage of the integrating long cycle scan circuit of the ordinary operational amplifier based on the charge and discharge of capacitor, a design of digital scan circuit based on counter and D/A translator is given.
本文鉴于常用的基于电容充放电的运算放大器积分式长周期扫描电路输出电压线性差 ,设计了基于计数器和D/A转换的数字式线性功率扫描电
补充资料：高压功率MOSFET门极驱动电路
高压功率MOSFET门极驱动电路
high voltage power MOSFET gate driver
gooyo gongl口MOSFET men}{目udongd一on{日高压功率MOSFE丁门极驱动电路(highvoltage Power MOSFET gate driver)用来开关高压电路中功率MOSFET的门极控制电路，又称高压浮动MOS门极驱动器。 对门极驱动电路的要求 (1)功率MOSFET位于高电位主电路中，而驱动电路位于低电位，因此一般需要电气隔离。、 (2)驱动门极的控制信号幅值应满足10~15V。由子功率MOSFET的门极与源极之间存在极间电容，故门极驱动必须提供该极间电容充放电所需的功率。(3)应具有一定的保护功能。 驱动电路的隔离方法 (l)光隔离:采用光祸合器，电路中每个功率MOSFET需要一个隔离电源，电路复杂，价格较贵，体积大，但开关很快，信号传播延时小。 (2)磁隔离:采用脉冲变压器，电路简单，费用可行，但对占空比很宽的脉冲信号进行祸合需要复杂的技术，信号频率较低时，变压器尺寸显著增加，寄生参数将会使快速开关波形畸变。 驱动电路技术发展很快，现已生产多种驱动IC芯片。进入90年代以来，一种高性能的新型高压浮动MOS门极驱动器IC芯片投人使用，使得MOS功率器件的门极驱动更加完善和易于实现。新型组件能直接驱动低电位开关，而且因具有悬浮输出，故又能直接驱动高电位开关。例如IR213o组件为六输出门极驱动器，在三相逆变电路中，用一片组件，一个千15V直流电源就可同时驱动六个功率MOSFET，使电路大为简化。它还具有以下性能:输出电阻值较小，门极极间电容可快速充放电，提高了功率器件开关速度，开关损耗低;在高频及最高允许工作电压下内部损耗较小。门极欠压、过压或负载电流超过预定峰值时，门极信号钳位于低电平，以保护功率开关器件。 绝缘栅双极型晶体管(I GBT)也属于门极电压驱动的功率器件，故上述的门极控制电路也适用于高电位的IGBT。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条