1) ballistic magnetoresistance
弹道磁电阻效应
1.
Renewed interest in submicron scale ferromagnetic nanocontacts has been stimulated greatly by the discovery of ballistic magnetoresistance (BMR) in 1999.
1999年，弹道磁电阻效应(Ballistic magnetoresistance)的发现激起了人们对亚微米级的铁磁性纳米接触的研究热潮。
3) tunneling magnetoresistance
隧道磁电阻效应
1.
In recent years,large magnetic entropy change and tunneling magnetoresistance effects in magnetic perovskite-type compounds have been observed.
类钙钛矿型材料是一类物理内涵极其丰富的化合物,它是著名的高温超导材料、铁电材料、压电材料,又是庞磁电阻效应材料,目前又显示出具有大磁熵变效应与隧道磁电阻效应。
2.
The microstructure of the film,its magnetic properties and tunneling magnetoresistance effect (TMR) were systematically studied.
由 Inoue关于隧道磁电阻效应的理论得到的自旋极化率 P和 Co的原子百分数 x的关系曲线和实验测得的 RTMR ～ x曲线具有相似的变化趋势 。
3.
The history and applications of tunneling magnetoresistance are described briefly.
回顾了隧道磁电阻效应发展简史及其应用 ,报道了锌铁氧体 氧化铁二相纳米复合材料在室温具有巨磁隧道电阻效应的实验结果 ,该实验结果表明锌铁氧体是具有高自旋极化率的一类新材料 ,值得进一步开展相关的研究工作 。
4) tunneling magnetoresistance (TMR) effect
隧道磁电阻(TMR)效应
5) magnetoresistance effect
磁电阻效应
1.
Research of tunneling magnetoresistance effect in ferromagnet-nonmagnetic impurity-ferromagnet system;
铁磁-非磁性杂质-铁磁隧道结磁电阻效应
2.
Phase separation and colossal magnetoresistance effect in a small-world network;
小世界网络中的相分离和超大磁电阻效应
3.
Charge-ordering and magnetoresistance effect in the half-doped Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_()1-xCr_xO_3 system;
半掺杂Pr_(0.5)Ca_(0.5)Mn_(1-x)Cr_xO_3体系的电荷有序和磁电阻效应
6) magnetoresistance
[mæɡ,ni:təuri'zistəns]
磁电阻效应
1.
Huge magnetoresistance effect of highly oriented pyrolytic graphite;
高度取向石墨的巨磁电阻效应
2.
Compared with the La 1- x K x MnO 3+ δ compound, a large characteristic low temperature magnetoresistance (MR) effect under a relatively lower magnetic field was observed in the polycrystalline two.
0 75 )钙钛矿材料 ,对比研究了两类化合物的结构、磁卡和磁电阻效应。
3.
The discovery of intergrain magnetoresistance in Sr 2FeMoO 6 as high as 10% at room temperature (300K), made a wide serial A 2B′B″O 6 double perovskite materials attracted considerable interests from both practical and theoretical fields.
室温下标准双钙钛矿型氧化物Sr2 FeMoO6中 ,10 %的隧穿型磁电阻现象的发现 ,使得这类A2 B′B″O6氧化物在磁电阻效应实用化研究的众多候选对象中脱颖而出 ,引起了人们相当大的关注。
补充资料：磁电阻效应
磁电阻效应
magneto-resistance effect
磁电阻效应magneto一resistanee effect强磁性、弱磁性金属和半导体材料的电阻率在磁场中产生的变化现象。简称磁阻效应。它是电流磁效应中的一种，与磁路中的磁阻不同。1856年W.汤姆孙(Thomson)首先发现金属的磁电阻效应。1930年L.W.舒布尼科夫(Shubnikov)和W.J.德哈斯(de Haas)发现金属秘(Bi)单晶体的电阻率在低温下随磁场变化时而发生振荡的现象。 磁电阻效应的产生，是由于磁场或磁有序状态改变了导体和半导体中载流子(电子和空穴)的散射情况，因而使电阻改变。广义的磁电阻效应有:①磁致电阻效应。又称汤姆孙效应。简称磁电阻效应、磁阻效应。②磁致电阻率振荡效应。常称舒布尼科夫一德哈斯效应。③磁致电阻率最小效应。又称近藤效应。磁(致)电阻效应表现在Fe、Ni等铁磁金属，在纵向(测电阻方向)磁化时，电阻率增加;在横向(垂直于测电阻方向)磁化时，电阻率减小。磁(致)电阻效应表现在Bi、Sb等抗磁性金属，则是在任何方向的磁场下，电阻率都增加，杂质对电阻率的影响显著。Bi的磁电阻效应最大，可用于测量磁场。钱普贝尔(Cham曲elD总结的实验性规律为:弱磁(抗磁和顺磁)性金属，不论在纵向或横向磁场中，磁电阻都增加，电阻增量约与磁场强度平方成正比;铁磁性金属，在纵向磁场中起初迅速增大，然后趋向饱和，但在横向磁场中，却是开始时缓慢减小，然后迅速减小，最后趋向饱和。 磁电阻效应已在磁记录头和磁传感器中得到应用。磁致电阻率振荡的舒布尼科夫一德哈斯效应，在低温强磁场情况下，在半金属和高g因数半导体(如Insb，1llAs)中特别显著，可用于研究能级结构和电子有效质量，还可研究一些物质的费米(Fermi)面。在电阻率温度关系中出现最小值的近藤效应，与固体中磁性掺杂和磁状态等密切相关，因而在磁学和固体理论研究中有重要应用。(李国栋)
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参考词条