1) Mn doped Ge
Mn掺Ge
2) Fe-Mn-Ge alloys
Fe-Mn-Ge合金
1.
temperature in Fe-Mn-Ge alloys is studied by a resonance method of free-free transverse vibration at a frequency between 1000-1200 Hz.
利用声频共振方法测量了Fe-Mn-Ge合金的杨氏模量与温度之间的关系,顺磁-反铁磁性转变导致合金出现明显的弹性模量反常,产生模量软化,Ge降低Fe-Mn合金的弹性模量E和尼尔转变温度T_N,增大ΔE值,并使T_N以下的弹性模量温度系数β_E由负变正,γ+ε两相组织有利于获得较小的β_E值恒弹性合金,以E-T曲线确定的合金相变温度与以磁化率、电阻率、膨胀率确定的相变温度基本吻合,用弹性模量方法能准确地测定出合金马氏体相交点和磁性转变点。
3) Mn doping
Mn掺杂
1.
Furthermore,the Mn doping was demonstrated to be able to improve the electrochemical performances of the cathodes.
Mn掺杂的Li3Fe2(PO4)3样品的恒电流充放电测试和伏安循环测试(2~4V)发现,所有样品中Fe3+/Fe2+氧化还原电对均有两个稳定的充放电平台(2。
4) Mn-doped ZnO
Mn掺杂ZnO
1.
Structure and Magnetism of Mn-doped ZnO Nanocrystals Annealed at Different Temperature;
不同退火温度下Mn掺杂ZnO纳米晶的结构和磁性
2.
Optical Properties and Magnetism of Mn-doped ZnO Nanocrystals;
Mn掺杂ZnO纳米晶的光学和磁学性质研究
5) Mn-doping
Mn掺杂
1.
The results showed that the shape of the XRD spectrum was remarkably similar to that of the un-doped ZnO film, indicating that the structure of the films was not disturbed by Mn-doping and the film also had mainly (103) peaks.
通过脉冲激光沉积(PLD)法在SiO2基片上制备了不同含量的Mn掺杂ZnO薄膜。
2.
Mn-doped Ga2O3 thin films with different contents Mn-doping are deposited on Si(111) and glass substrates by magnetron sputtering method.
采用磁控溅射法在Si(111)和玻璃衬底上制备出不同Mn掺杂含量的Ga2O3薄膜,使用扫描电子显微镜、电子能谱仪、X射线衍射仪、紫外-可见分光光度计等对Mn掺杂Ga2O3薄膜的表面形貌、结晶特性和光吸收性能进行了研究。
6) Ga_(1-x)Mn_xN
Mn掺杂GaN
1.
The results reveal a 100% spin polarized impurity band in band structure of Ga_(1-x)Mn_xN due to hybridization of Mn 3d and N 2p orbitals.
计算结果表明Mn掺杂GaN使得Mn 3d与N2p轨道杂化,产生自旋极化杂质带,材料表现为半金属性,非常适于自旋注入,说明该种材料是实现自旋电子器件的理想材料,折射率在带隙处出现峰值,紫外区光吸收系数随Mn浓度的增加而增大。
补充资料：Ge-Mn-Cu alloy
分子式：
CAS号：
性质：由锗、锰和铜组成的合金。分为高锗锰铜和低锗锰铜合金两种。在0～70℃范围内有低的电阻温度系数和良好的成曲性。大大扩展了精密电阻器的使用温度范围。广泛用于制作标准电阻器、精密电阻器和精密电子天平取样电阻器等。
CAS号：
性质：由锗、锰和铜组成的合金。分为高锗锰铜和低锗锰铜合金两种。在0～70℃范围内有低的电阻温度系数和良好的成曲性。大大扩展了精密电阻器的使用温度范围。广泛用于制作标准电阻器、精密电阻器和精密电子天平取样电阻器等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条