1)  gallium oxide thin film
					 
	
					
				
				 
	
					
				氧化镓薄膜
				1.
					The influence of thermal annealing on the structural,electrical and optical properties of the gallium oxide thin film were investigated.
						
						采用真空蒸发技术在蓝宝石衬底上制备了氧化镓透明半导体薄膜;研究了热退火对氧化镓薄膜结构、电学和光学等特性的影响。
					
					2)  Ga_2O_3 films doped with Sn
					 
	
					
				
				 
	
					
				掺锡的氧化镓薄膜
			
					3)  GaN films
					 
	
					
				
				 
	
					
				氮化镓薄膜
				1.
					The study of SiC buffers used to improve the quality of GaN films on the Si substrate;
					 
					
						
						 
					
						SiC缓冲层用于改善硅基氮化镓薄膜的质量研究
					
					4)  polycrystal GaAs film
					 
	
					
				
				 
	
					
				多晶砷化镓薄膜
			
					5)  Film oxidation
					 
	
					
				
				 
	
					
				薄膜氧化
			
					6)  titanium oxide film
					 
	
					
				
				 
	
					
				氧化钛薄膜
				1.
					Formation of functional group on titanium oxide films induced by plasma treatment;
					 
					
						
						 
					
						氧化钛薄膜表面等离子体处理引发官能团形成的研究
					2.
					on beam enhanced deposition was used to synthesize titanium oxide film.
					 
					
						
						 
					
						本文研究了离子束增强沉积技术制备的氧化钛薄膜的血液相容性与薄膜的结构、成分、表面能,以及蛋白质在薄膜表面的吸附之间的关系。
					补充资料:氢氧化镓
		分子式: Ga(OH)3  
CAS号:
性质:白色胶状物。两性氢氧化物,酸性强于碱性。难溶于水,易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。能与酒石酸络合。加热170℃以上生成羟基氧化镓Ga(OH)。400℃以上完全脱水,生成三氧化二镓。可由镓(III)盐溶液与氨水反应,控制PH值为3.2时能得到氢氧化镓沉淀,再经干燥制得。用于制备金属镓及各种镓盐。
		
		CAS号:
性质:白色胶状物。两性氢氧化物,酸性强于碱性。难溶于水,易溶于碱金属氢氧化物和稀无机酸。能与酒石酸络合。加热170℃以上生成羟基氧化镓Ga(OH)。400℃以上完全脱水,生成三氧化二镓。可由镓(III)盐溶液与氨水反应,控制PH值为3.2时能得到氢氧化镓沉淀,再经干燥制得。用于制备金属镓及各种镓盐。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
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