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1)  Plasma Pressure
等离子体压强
2)  plasma pressure and magnetic pressure
等离子体压强和磁压强
3)  plasma enhancing
等离子体增强
1.
It is found that plasma enhancing can enhance growth rate of diamond dramatically.
结果表明,等离子体增强法能够明显促进金刚石的生长,而电子促进法的生长速率最慢,甚至慢于偏压等离子体的生长速率;与等离子体促进增强法相比,偏压等离子体增强法的生长速率也有所变慢,并且随着偏压射频电流的增大,其生长速率越来越慢;而传统热丝法的生长速率与沉积金刚石时所选用碳源的分子结构有很大的关系。
4)  Plasma enhance
等离子体增强
1.
A thin Ti layer was first coated as an intermediate layer on the iron substrate,and then followed by TiN layer by means of plasma enhanced magnetron sputtering ion plating.
利用等离子体增强磁控溅射离子镀(PEMSIP),先在铁基体上镀一层很薄的钛中间层,继之沉积TiN。
5)  plasma enhanced CVD
等离子体增强CVD
6)  enhancement of wave
等离子体波增强
补充资料:等离子体压强和磁压强
      在流体近似下,可以把等离子体看成是彼此相互作用的电子和离子两种气体的混合物。它们各具有动力压强,上述两种气体成分的分压强之和P=k(niTi+neTe)称为等离子体压强,k是玻耳兹曼常数,角标i、e分别表示离子和电子。
  
  经常遇到的处在静磁场 B中的等离子体,除了等离子体压强外,它还受到磁力 作用,j是电流密度。当磁力线是直的并互相平行时,(B·墷)B项等于零,相当于压强,称为等离子体磁压强。
  
  在等离子体压强和磁压强并存之时,常用参数表示磁压强的相对重要性。这个参数称为比压。
  

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