2) low temperature deposition
低温沉积
1.
Study on TiC black film by low temperature deposition with alkane/alkyne gas;
烷/炔气低温沉积TiC黑膜的研究
2.
Therefore it is a valid way to realize low temperature deposition of AIP.
结果表明,与直流偏压相比,脉冲偏压可以明显降低基体的沉积温度,大大减少薄膜表面的大颗粒污染,改善表面形貌,而薄膜的综合力学性能仍保持良好,说明利用脉冲偏压技术是实现电弧离子镀低温沉积的有效途径。
3) Energy deposition
能量沉积
1.
Energy deposition and radiation effect in MOS structure irradiated with electron beams;
电子束在MOS结构中的能量沉积与辐照效应
2.
Calculation of energy deposition in electronically irradiated SiO_2;
电子辐照SiO_2能量沉积计算方法研究
3.
A calculation and comparison of energy deposition irradiation-induced by different sources in silicon;
不同粒子在硅中能量沉积的计算及比较
4) energy deposit
能量沉积
1.
Geant4 toolkit for Monte Carlo simulation is used in high energy heavy ion energy deposition simulation.
对铁离子在水中产生的能量沉积和铁离子与水介质发生核反应后产生的次级碎片的能量沉积进行了模拟研究,得到了通过核反应过程产生次级粒子所导致的剂量贡献。
5) deposited energy
能量沉积
1.
Through simulating electrons scattering progress and deposited energy distribution,the authors found that the low-energy electron beam is the evident mode of exposure, because low-energy electrons lost a large part of energies in PMMA.
通过统计电子的能量沉积分布,发现低能电子的大部分能量沉积在光刻胶中而非衬底,所以在电子束光刻中有着更高的效率。
2.
The process of deposited energy in sensitive volumes in a static random access memory (SRAM) chip induced by 10—20MeV neutrons is simulated using the Monte Carlo method.
利用蒙特卡罗(MonteCarlo)方法,对10—20MeV中子在静态随机存储器(SRAM)中引起的单粒子翻转进行了模拟,着重对中子在SRAM灵敏区引起的电离能量沉积进行了计算,并对中子引起单粒子翻转过程相关物理量进行了计算。
3.
It can provide statistic information about the deposited energy for understanding the random process of the single event upset.
基于Monte Carlo计算模拟,对10-20MeV中子引起存储器单粒子翻转能量沉积进行了统计分析,为了解单粒子翻转随机过程提供能量沉积统计信息。
6) Retentioned energy
沉积能
补充资料：低能表面
分子式：
CAS号：
性质：表面能低的表面。较难进行粘接。一般此类表面必须先经过表面处理才能进行粘接。例如聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯等表面属于低能表面。
CAS号：
性质：表面能低的表面。较难进行粘接。一般此类表面必须先经过表面处理才能进行粘接。例如聚四氟乙烯、聚乙烯、聚丙烯等表面属于低能表面。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条