1) Amplification effect of transistor
晶体管放大效应
3) bi fet amplifier
双极.场效应晶体管放大器
5) transistance
[træn'sistəns]
晶体管效应
6) Transistor amplifier
晶体管放大器
1.
The thinking and methods of designing a transistor amplifier with LC resonance network are presented.
本文介绍了一种具有 Ｌ Ｃ 谐振网络的晶体管放大器的设计思路及方法。
2.
Based on the basic principles and approaches for the making of the low-noise amplifier , we analysed the noise model of the transistor amplifier(En- In model) and provided a practical method to get the best source resistant Rsopt.
从低噪声放大器设计的基本原理和方法入手，对晶体管放大器的噪声模型（Ｅｎ－Ｉｎ模型）作了分析，并推导出一种实用的最佳源电阻Ｒｓｏｐｔ近似求法。
补充资料：场效应晶体管放大电路
场效应晶体管放大电路
field-effect transistor amplifier
chQngxlaoying妇ng们guan fongda dlo门!目场效应晶体管放大电路(field一effeet tran-sistor amPlifier)利用场效应晶体管作有源器件的放大电路。场效应晶体管(见场效应半导体器件)是20世纪60年代发展起来的半导体器件。它既有一般晶体管体积小、重量轻、耗电省和可靠性高等优点，又有远比一般晶体管高的输人阻抗。此外，由于MOS场效应晶体管组成的集成电路制造工艺简单、集成度高，因此发展迅速，应用日益广泛。 由于场效应晶体管具有输人阻抗高、噪声低的优点，在多级放大电路中，经常用作前置放大级。利用场效应晶体管的恒流特性，在放大电路中也常作恒流源用。 利用场效应晶体管的基本放大电路有三种，分别是共源、共漏、共栅放大电路。 (1)共源放大电路:图(a)是共源放大电路，是用得最广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道增强型MOS管。该电路有较大的电压增益、较大的输人电阻，但由密勒效应引起的输人电容太大，影响高频响应，常用作电压放大。 (2)共漏放大电路:图(b)是共漏放大电路，又名源极跟随器，也是用得比较广泛的一种电路，其中场效应晶体管是N沟道耗尽型MOS管。该电路的输入电阻大，输人电容小，电压放大倍数小于1，常用作输人级以提高输人阻抗，或用作阻抗变换、缓冲电路。 利用场效应晶体管的基本放大电路 (a)共源放大电路;(b)共漏放大电路; (c)共栅放大电路 (3)共栅放大电路:图(C)是共栅放大电路，比共源、共漏放大电路用得少，主要用于高频电路，其中场效应晶体管是N沟道结型场效应管。该电路电压增益大，输人电容小，但输人电阻小。
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参考词条