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1) chemical solution deposition(CSD)
化学溶液沉积技术(CSD)
2) Chemical solution deposition (CSD)
化学溶液沉积法(CSD)
3) chemical solution deposition
化学溶液沉积
1.
ZnO nanorods were grown on ITO conducting glass by the chemical solution deposition method (CBD) at a low temperature(90 ℃).
在低温条件下,利用化学溶液沉积法(CBD)成功在ITO导电玻璃衬底上生长出近一维ZnO纳米棒。
2.
On the one hand, in order to study the effects of film thickness on microstructures and electrical properties of BNT thin films, BNT films with different thicknesses were fabricated by chemical solution deposition (CSD).
一方面,用化学溶液沉积(CSD)法制备了不同薄膜厚度的BNT铁电薄膜,研究了薄膜厚度对BNT薄膜微观结构和电学性能的影响;另一方面,用静电纺丝法制备了BNT纳米纤维,并研究了BNT纳米纤维的微观结构和电学性能;同时,利用朗道理论对BNT纳米纤维的居里温度和电学性能进行了研究。
3.
YBCO superconducting film is fabricated on the single crystal LaAlO_3 substrates using non-fluorine chemical solution deposition.
本学位论文在LaAlO_3单晶基底上采用无氟化学溶液沉积法制备了YBCO超导薄膜。
4) CSD
化学溶液沉积法
1.
75Ti3O12(BLT) thin films have been prepared by chemical solution deposition( CSD).
采用化学溶液沉积法在p-Si(100)衬底上制备了LaNiO3(LNO)下电极和Bi3。
2.
The Bi_2Ti_2O_7 thin film with strong (111) orientation was successfully prepared by chemical solution deposition (CSD) technique on n- Si (100) using bismuth nitrate and titanium butoxide as starting materials.
采用化学溶液沉积法,以硝酸铋和钛酸四丁酯为原料成功地制备了 Bi_2Ti_2O_7介质膜。
3.
75)Ti_3O_(12) ((M=Nd,Al,In)) thin films have been prepared on LaNiO3 (LNO)/Si and quartz by chemical solution deposition (CSD), respectively.
采用化学溶液沉积法分别在LaNiO3(LNO)/Si和石英衬底上制备了Bi_(3。
5) Chemical solution deposition
化学溶液沉积法
1.
Preparation of YBa_2Cu_3O_7 thin films by chemical solution deposition;
化学溶液沉积法制备YBa_2Cu_3O_7超导薄膜
2.
Study on Preparation of LiMn_2O_4 Film Electrode by Chemical Solution Deposition Method;
化学溶液沉积法制备LiMn_2O_4薄膜电极的研究
3.
LaNiO3(LNO) thin films were prepared on(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2 substrates by chemical solution deposition.
采用化学溶液沉积法在(100)Si,SiO2/Si,(100)Al2O3,(100)MgO,(100)SrTiO3(STO),(100)ZrO2等衬底上制备了LaNiO3(LNO)薄膜,研究了热处理温度对薄膜结构和电性能的影响。
6) CSD
化学溶液沉积
1.
(La_xBi_(1-x))_2Ti_2O_7(BLT)and Bi_2Ti_2O_7(BTO)films were prepared on Si(100) substrates by chemical solution deposition(CSD).
采用化学溶液沉积(CSD)工艺在Si(100)衬底上制备了Bi2Ti2O7(BTO(和(LaxBi1-x)2Ti2O7(BLT(铁电薄膜,薄膜的X射线衍射(XRD)结果显示其具有较好的结晶性,运用X射线光电能谱仪(XPS)对薄膜的结构进行了研究,分析结果表明,薄膜中氧空位的出现影响了其相的稳定性,通过掺La可以改善其性能。
补充资料:化学气相沉积技术在冷拔模具上的应用
化学气相沉积(CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一项先进技术。上海冷拉型钢厂将这项技术应用于模具,取得显著效益。 一、概况 化学气相沉积(CVD)技术是近年来国际上发展和应用较广的一门先进技术,尤其在电子、半导体、机械、仪表、宇航等领域的应用发展极其迅速。所谓化学气相沉积(简称CVD),就是利用化学反应的原理,从气相物质中析出固相物质沉积于工作表面形成镀层薄膜的新工艺。通常使用的涂层有:TiC、TiN、Ti(C.N)、Gr7O3、Al2O3等。以上几种CVD的硬质涂层基本具备低的滑动摩擦系数,高的抗磨能力,高的抗接触疲劳能力,高的表面强度,保证表面具有足够的尺寸稳定性与基体之间有高的粘附强度。 该项技术在冷拔模具上的推广应用,对传统的冷拔模具的制造是个突破。原来模具的抗磨能力,抗接触疲劳能力及摩擦系数等机械性能是靠模芯材料来实现的,采用该技术后,基体材料的这些性能已为涂层所替代。 二、工艺特点 1. 由于CVD技术用于模具表面处理,大大增强了模具基体的强度,故采用硬质合金模具冷拔时的工况须稳定,减少冲击因素,以免模具崩裂。 2. CVD硬质深层只有10μm厚,带来了模具无法重磨的矛盾,因此在制模前要预计模芯镶套,以及材料拉拔过程中反弹等影响尺寸精度等因素。 3. TiN涂层置于空气下,升温至600℃开始氧化,并随温度升高,时间增加氧化愈严重,被氧化的深层将失去抗磨、抗粘结等性能,从而影响模具的寿命,因此CVD模具镶套宜采用冷压配的方法,若采用热镶套,温度应控制在600℃以下。 三、应用情况 1. 目前主要对高速连续拉拔模具、不锈钢和小规格的异型模具所用YG8硬质合金模芯进行高温气相沉积(900℃~1050℃),主要沉积物为TiC、Ti(C.N)、TiN三种复合涂层。其中与硬质合金直接接触的是TiC沉积,它与基体有良好的结合强度,厚4μm;中间一层为Ti(C.N)沉积,厚4μm;表面一层为TiN沉积,呈金黄色,厚2μm。 2. CVD技术用于冷拔模具,在型钢拉拔过程中,效果是十分明显的,主要表现在:模具寿命提高,一般情况下,比未经CVD处理模具寿命提高3倍以上,润滑条件大为改善,尤其在高速拔制和不锈钢材料拔制,效果尤为明显;模具耐磨性好,产品尺寸稳定,摩擦系数低,拔制力下降。 目前CVD技术主要对硬质合金模具进行表面处理,今后趋势是以模具钢来替代硬质合金。此类模具的综合性能将更为完美。
说明:补充资料仅用于学习参考,请勿用于其它任何用途。
参考词条
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