1) silver gallium disulphide crystal
二硫化镓银晶体
2) silver gallium diselenide crystal
二硒化镓银晶体
3) silver gallium ditdluride crystal
二碲化镓银晶体
5) copper gallium disulphide crystal
二硫化镓铜晶体
6) AgGaS2 single crystal
硫镓银单晶体
补充资料：二硫化镓银晶体
分子式： AgGaS2
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
CAS号：
性质：周期表第Ⅰ,III,VI族元素化合物半导体。共价键结合,有一定的离子键成分。正方晶系黄铜矿型结构,晶格常数0.575nm。为直接带隙半导体,室温禁带宽度2.70eV。熔点1040℃。采用化学气相沉积、定向凝固等方法制备。为可见光发光材料和非线性光学材料。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条