补充资料：硒化锡晶体

分子式：
CAS号：

性质：周期表第V、Ⅵ族化合物半导体。正交晶系离子性晶体，晶格常数0.444nm。密度6.19g/cm3，熔点860℃。为直接带隙半导体。一般为p型材料空穴有效惯性质量为0.15m。室温禁带宽度0.90eV，空穴迁移率1×10-2m/(V·s)。采用熔化再结晶法制备。用于制作红外探测器。

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