1) PIN-field effect transistor
PIN 二极管场效应晶体管[光]
2) PIN diode
PIN管
1.
Single Pole Double Throw Switch (SPDT) mainly complete the conversion of the signal between difference channels, the control element in common use is PIN diode and GaAs MESFET.
单刀双掷开关(SPDT)主要用来完成信号在不同信道间的转换，其常用的控制器件有PIN管和GaAs MESFET两种。
2.
The control element used commonly is PIN diode and GaAs MESFET and two kinds of broadband and high isolation PIN SPDT are discussed by theory and experiment in this paper.
单刀双掷开关(SPDT)主要用来完成信号在不同信道间的转换,其常用的控制器件有PIN管和GaAs MESFET两种。
3.
After Thesis details the PIN diode and basic theory of switch, proposes design method of broadband switch.
论文在详细介绍PIN管和开关的基本理论基础上,总结了宽频带开关的设计方法。
3) PIN
[英][pɪn] [美][pɪn]
PIN管
1.
The electronic part of OPM includes PIN,Logarithmic Amplifier and Data Acquisition Card.
该OPM电路部分采用PIN管,对数放大器和数据采集卡来实现,软件采用LabVIEW对数据进行处理。
2.
The Single Pole Single Throw (SPST) switchbased on PIN diode has been researched in this dissertation.
本文对基于PIN管的Ka(26。
3.
In this paper,a VHF-band three-bit digital phase shifter with the structure of high-pass/low-pass filter and PIN switch component,using ADS simulation, is designed.
本文采用高低通滤波器结构,并利用PIN管作为开关元件,运用ADS仿真软件对电路进行仿真和优化,设计了一个VHF频段宽带三位数字移相器。
4) p-i-n diode
PIN管
1.
The power capability is an important parameter f or p-i-n diode control circuits.
PIN管控制电路的功率容量是一个重要的电路参数,必须全面考虑PIN管本身的功率容量和电路结构形式、施加的反向偏置电压、射频信号的频率和形式以及电路在系统中的匹配状况、工作环境和可靠性要求等各项因素综合确定。
5) PIN diodes
PIN二极管
1.
5μm thick I-region GaAs pin diodes and a series-shunt-shunt switch topology in each arm.
基于中国科学院微电子研究所的GaAspin二极管工艺,设计、制作并测试了一种单片单刀双掷开关。
2.
The model of the state of forward bias and reverse bias of PIN diodes is fabricated using RF simulation software ADS(advanced design system),and the method of optimizing the key parameter of phase shifter using the sensitivity analysis module of ADS is also discussed.
利用射频仿真软件ADS(Advanced Design System)构建了PIN二极管的正反偏模型,讨论了运用ADS的灵敏度分析模块辅助优化移相器关键参数的方法,并基于该方法设计出了一种X波段四位数字移相器,其工作频率为9。
3.
GaAs PIN diodes with different structures are fabricated,testing data of PIN diodes with usual and improved structures are compared,and the results of analysis in theory are proved.
设计并制作了高性能GaAs微波PIN二极管。
6) pin diode
PIN二极管
1.
Effect of temperature on power response of PIN diode limiter;
温度对PIN二极管限幅器功率响应特性的影响
2.
Overshoot phenomena in PIN diode under EMP with fast rise time;
快上升沿电磁脉冲作用下PIN二极管中的电流过冲现象
3.
Wide band GaAs PIN diode SPST switch MMIC is presented in this paper.
采用GaAs PIN二极管,完成1~26。
补充资料：场效应晶体管的分类方法以及基础知识介绍
场效应晶体管(FET)简称场效应管，它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高（108～109Ω）、噪声小、功耗低、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管分结型、绝缘栅型两大类。结型场效应管（JFET）因有两个PN结而得名，绝缘栅型场效应管（JGFET）则因栅极与其它电极完全绝缘而得名。目前在绝缘栅型场效应管中，应用最为广泛的是MOS场效应管，简称MOS管（即金属-氧化物-半导体场效应管MOSFET）；此外还有PMOS、NMOS和VMOS功率场效应管，以及最近刚问世的πMOS场效应管、VMOS功率模块等。
按沟道半导体材料的不同，结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分，场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型，绝缘栅型场效应管既有耗尽型的，也有增强型的。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条