1) electric domain wall
电畴壁
2) domain and domain wall
电畴和畴壁
1.
The domain and domain wall structure of PT/PZT/PT ferroelectric thin film;
PT/PZT/PT铁电薄膜的铁电畴和畴壁
3) domain wall magnetoresistance
畴壁电阻
4) domain wall
畴壁
1.
Double-wave quantum theory and quantum fluctuation of adomain wall in the ferromageitc system;
铁磁系统中介观畴壁的双波描述及量子涨落
2.
It shows that the Barkhausen jumps in the element are the result of the irreversible domain processes, involving domain wall mergence, closure domain transitions, and wall-state transitions.
研究表明，元件中的Ｂａｒｋｈａｕｓｅｎ跳跃是畴壁合并、壁态转变和塞漏畴转变等不可逆磁畴结构变化过程的结果。
3.
A domain wall will be appeared during transition from PDB-to PDA-phase, by contrast, an anti-domain wall will be appear when transiting from PDA-to PDB-phase.
会出现一个畴壁;相反,在从PDA相向PDB相的相变过程中,会出现一个反畴壁。
5) domain walls
畴壁
1.
The annihilation of vertical Bloch lines in the domain walls of three kinds of hard domains subjected to temperature is investigated experimentally.
研究了温度作用下 3类硬磁畴畴壁中垂直布洛赫线 (VBL)的消失过程 ,发现和证实了普通硬磁泡 (OHBs) ,第I类哑铃畴 (IDs)和第II类哑铃畴 (IIDs)都存在一个与材料参量有关的VBL解体的临界温度范围 。
2.
Considering the second order magneto crystalline anisotropy constant, the rotational formulas of the magnetic moment for the 180° domain walls of Nd 2Fe 14 B above and below the spin reorientation temperature have been derived accurately.
考虑二级磁晶各向异性常数 ,精确地推导出了自旋重取向温度以上的Nd2 Fe14 B磁体 180°畴壁中磁矩的转向公式和自旋重取向温度以下的Nd2 Fe14 B磁体畴壁中磁矩的转向公式。
3.
6 and 2/3 show a relaxation type peak P_2 accompanied by a decrease in modulus,which can be attributed to the motion of domain walls whose mobility was contolled by the diffusion of oxygen vacancies.
6以及2/3的样品中还观察到一个弛豫型特征的内耗峰P2,此峰伴随着模量的变化,可归于畴壁的运动。
补充资料：电畴
分子式：
CAS号：
性质： 铁电体中自发极化方向一致的区域。两电畴互成反向平行排列的，称180°电畴。两电畴互相垂直的称90°电畴。其边界分别称为180°畴壁(图中AA′)和90 畴壁(图中BB′)。按铁电体的晶体结构尚有71°，109°，60°和120°电畴。仅由一个电畴组成的晶体称单电畴晶体。多晶陶瓷通常是多电畴的。一个晶粒一般可包含多个铁电体电畴，其形成服从铁电体内部能量最低状态。电畴的形态取决于晶体对称性、内部应力、缺陷、畸变和电导率等。铁电体的性能与电畴的形貌、状态和运动特性密切相关。电子显微镜透射法、扫描电镜法、偏光显微法及化学腐蚀法或热腐蚀法等可观察到电畴的不同取向。（图暂缺）
CAS号：
性质： 铁电体中自发极化方向一致的区域。两电畴互成反向平行排列的，称180°电畴。两电畴互相垂直的称90°电畴。其边界分别称为180°畴壁(图中AA′)和90 畴壁(图中BB′)。按铁电体的晶体结构尚有71°，109°，60°和120°电畴。仅由一个电畴组成的晶体称单电畴晶体。多晶陶瓷通常是多电畴的。一个晶粒一般可包含多个铁电体电畴，其形成服从铁电体内部能量最低状态。电畴的形态取决于晶体对称性、内部应力、缺陷、畸变和电导率等。铁电体的性能与电畴的形貌、状态和运动特性密切相关。电子显微镜透射法、扫描电镜法、偏光显微法及化学腐蚀法或热腐蚀法等可观察到电畴的不同取向。（图暂缺）
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条