1) electrostatic bonding silicon-glass
硅玻璃静电健合
2) glass-silicon bonding
玻璃 硅静电键合
3) silicon on glass
硅/玻璃键合
1.
This paper experimentally studies the effects of the conductivity of a silicon wafer and the gap height between silicon structures and glass substrate on the footing effect for silicon on glass(SOG)structures in the deep reactive ion etching(DRIE)process.
针对反应离子深刻蚀中硅/玻璃键合结构的footing效应问题,用实验方法进行了研究。
4) silicon on glass bonding
硅-玻璃键合
5) glass-silicon bonding
硅∕玻璃键合
6) silicon-glass thermal bonding (SGTB)
硅-玻璃热键合
1.
To resolve the material thermal mismatch in silicon-glass direct bonding, a method of silicon-glass thermal bonding (SGTB) with SiO2 film assist was proposed.
为了解决Si和普通玻璃进行直接键合时材料的热失配问题,提出了利用SiO2薄膜辅助进行硅-玻璃热键合(SGTB)的技术。
补充资料：防静电有机玻璃
分子式：
CAS号：
性质：具有轻度导电性从而防止表面静电荷积聚的有机玻璃。属半永久性防静电材料。有较好的防静电性，表面电阻率1011～1012Ω(普通有机玻璃>1015Ω)。透光率90%左右。机械强度和耐热性有所下降。有防静电浇铸板和防静电模塑料两类。板材用表面涂层法或掺混聚合法制造。表面涂层法用的抗静电剂有脂肪酸盐和多元醇的酯化物、硬脂酸和乙二胺的缩合物、聚乙烯亚胺与多官能硅化物。掺混聚合法是在单体中溶解抗静电剂(高级脂肪酸单甘油酯、聚亚烷基二醇和磷酸三酯等)再行聚合的方法。有机玻璃模塑料中均匀掺混抗静电剂后再造粒可制得抗静电粒料。主要用于电子仪器、仪表及计算机等部件的外壳、指针表玻璃及工业上需要防静电设备的窗罩等。
CAS号：
性质：具有轻度导电性从而防止表面静电荷积聚的有机玻璃。属半永久性防静电材料。有较好的防静电性，表面电阻率1011～1012Ω(普通有机玻璃>1015Ω)。透光率90%左右。机械强度和耐热性有所下降。有防静电浇铸板和防静电模塑料两类。板材用表面涂层法或掺混聚合法制造。表面涂层法用的抗静电剂有脂肪酸盐和多元醇的酯化物、硬脂酸和乙二胺的缩合物、聚乙烯亚胺与多官能硅化物。掺混聚合法是在单体中溶解抗静电剂(高级脂肪酸单甘油酯、聚亚烷基二醇和磷酸三酯等)再行聚合的方法。有机玻璃模塑料中均匀掺混抗静电剂后再造粒可制得抗静电粒料。主要用于电子仪器、仪表及计算机等部件的外壳、指针表玻璃及工业上需要防静电设备的窗罩等。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条