1) collector transition capacitance
集电极渡越电容
2) collector transit time
集电区渡越时间
1.
The formulation of the voltage-dependent collector transit time has been established.
针对VBIC(vertical bipolar inter-company)模型对HBT多电压偏置下S参数拟合不够准确的问题,考虑了GaAs基HBT集电区载流子速度和耗尽层宽度随电压的变化关系,建立了随外加电压变化的集电区渡越时间方程。
3) base-collector capacitance
集电极电容
4) collector capacitance
集电极基极电容
5) photocathode transit time
光电阴极渡越时间
6) photocathode transit-time difference
光电阴极渡越时间差
补充资料：半导体电极电容
分子式：
CAS号：
性质：半导体电极的电容等效于若干种电容的组合，相当于不同的储电场所。其中包含溶液相的紧密双层电容，半导体空间电荷层的电容和表面态的电容。测定半导体电极的电容和电势的关系，可以确定半导体的导电类型、空间电荷密度和固体表面能级等特性。
CAS号：
性质：半导体电极的电容等效于若干种电容的组合，相当于不同的储电场所。其中包含溶液相的紧密双层电容，半导体空间电荷层的电容和表面态的电容。测定半导体电极的电容和电势的关系，可以确定半导体的导电类型、空间电荷密度和固体表面能级等特性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条