补充资料：量子化霍尔电阻基准

量子化霍尔电阻基准
quantization Hall resistance standard

I目侧夕ihua Huo’er dianzu lizhun.子化扭尔电阻墓准(卿朋u时ion Hall resist-~日恤以坛记)利用量子化霍尔效应建立的电阻基准。由于建立在量子现象的基础上，所以称为量子化粗尔电阻基准。 经典的标准电阻器是用精密合金丝绕制的，其电阻值会随着环境温度、湿度、气压等因素而变化，还会因材料成分的变化和金相情况的缓慢变化而随时间发生慢漂移。20世纪70年代以前，各国的国家标准实验室孺每隔3年把本国的国家电阻标准送到巴黎的国际计童局进行比对。 1980年德国科学家K.von克利青发现了量子化霍尔效应。即在接近绝对零度的深低温下，处于强磁场中的半导体器件的界面上的二维电子气的回转能级(兰道能级)呈现分立状态。电子正好充满某一兰道能级时，粗尔电压曲线上会出现与此对应的一个平台区。平台处的粗尔电阻R。满足公式 月，二hz(幼2)i=l，2，3，……式中;h为普朗克常t，。为电子电荷，i为一正整数，表示兰道能级的编号。由于h/矛是基本物理常数的组合，不会变化。所以根据量子化霍尔效应可以得到德定性极高的电阻量值，原则上与样品形状、测量、温度、气压等均无关，也不会随时间漂移。克利青因此项重大发现而获1985年诺贝尔物理学奖。 常数hl扩虽不会变化，但其在sl单位值中的准确数值需用其他方法准确测定。所以发现量子化霍尔效应以后，国际计量委员会号召所有有能力的国家实验室用实验侧定h/矛的SI值。19价年国际计量委员会综合了各国用计算电容法和回旋加速器法测出的数据，给出了量子化霍尔电阻的国际推荐值为: R。=hleZ=25 812.即7n不确定度为l.3xlo一，(k=1)，决定于19男)年1月1日起在世界范围内启用作为各国确定电阻量值的依据。(陆祖良)

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