1) dislocation array
位错列
2) sequence disruption
序列错位
3) dislocation array
位错阵列
4) row of dislocations
位错排列
5) staggered array
错位阵列
1.
This character of folded dipole combines with staggered array and the material with high permittivity can be used to fit the low profile requirement of tag.
针对折合结构这个特性,并结合错位阵列技术和高介电常数介质的应用,设计并实现了一款低剖面、高增益的抗金属RFID标签天线。
6) the number of derangements
错位排列数
1.
In this paper,the probabilistic interpretations of Bernoulli number and the number of derangements are given,and their recurrence relation formulae are obtained by using the probabilistic method.
给出Bernoulli数和错位排列数的概率解释,利用概率论方法得到相应的递推公式。
补充资料：不全位错
不全位错
partial dislocation
不全位错partial disloeation伯格斯矢量不是晶格恒同平移矢量的位错。它是堆垛层错的边界，也即是层错与完整晶体部分的分界线。以fcc晶格为例，最常。二‘。一‘，，，、~，，一一，、，、二加，‘爪1，，，八、~，.I见的是在{111}类型的面上通过操作:①告<112>类型2.“J~阵、“‘，~~曰刁~一~一一’「‘~6、““’~~滑移;②抽去一个{111}层，并使上下两岸复合;③插入一个{111}层。这3种操作均造成层错，此层错的边界即是不全位错。分别称为肖克利不全位错， 1‘，，。、0=~不Lll乙J O负弗兰克不全位错，正弗兰克不全位错，。一告〔“‘〕。一奇〔“‘〕。 不全位错复杂之处在于它必然与层错相联系而存在，所以它的形式和运动均受层错之制约。例如上述肖克利不全位错只能在{111}面上作滑移，而弗兰克不全位错根本不能滑动。除fcc晶体外，在hcp、bcc、金刚石结构及其他许多实际晶体中，不全位错是很常见的。一个全位错可以分解为两个或多个不全位错，其间以层错带相联，通常称为扩展位错。 (杨顺华)
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条