1) cambium ring
形成层环
2) Annualar layer
环形夹层
3) Annulate lamellae
环形片层
1.
Using electron microscopic techniques such as ultrathin sectioning and freeze-etching we have showed that annulate lamellae,a structure composed of double membrane cisternae studded with nuclear pore complexes, could spontaneously form in activated Xenopus egg extracts without exogenous chromatin or DNA.
用超薄切片电镜技术结合冰冻蚀刻方法观察到在活化的爪蟾卵提取物中环形片层能够自发地大量形成,核孔复合体的超微结构与天然的核孔复合体没有区别,表明核孔复合体的装配能够不依赖于染色质或DNA的诱导而独立进行。
4) annular disassemble
环形分层
6) Layered forming
分层成形
补充资料：电离层的形成
电离层的形成
formation of the ionosphere
地球高层大气的分子和原子在太阳的紫外线
X射线和高能粒子的作用下电离,产生自由电子和正负离子,形成从宏观上说仍然是中性的等离子体区域，即电离层。带电粒子通过碰撞等过程又产生复合，使电子和离子的数目减少；带电粒子的漂移和其他运动也可使电子或离子密度发生变化。电子密度N随时间t的变化
N/t,是电子生成率Q、电子消失率L和电子因漂移而离开单位体积的速率的代数和。即[186-01]
式中V是电子的漂移速度。在一般情况下,除F2层上部以外，输运项
·(NV)引起的损失是可以忽略的,所以电子密度达到平衡的条件主要决定于电子生成率和电子消失率。电离过程 中性大气的电离主要是吸收太阳 X射线和远紫外线（波长小于 0.175微米）辐射的结果。中性大气分子吸收太阳辐射光子的几率用吸收截面
表示，其定义是吸收能量率与单位面积上入射能量率之比，它与波长有关，而被吸收的光子能产生电离的几率则由电离效率η表示,乘积η=1称为电离截面。在远紫外区，的最大值可达10(～10(厘米(；而在X射线范围则小得多。对于原子型气体，η=1，即所吸收的能量全部用于产生电子-离子对。对于分子型气体，则η<1。最早提出电离层形成理论的是英国S.查普曼。20世纪30年代初，他假设：①进入大气层的太阳辐射为单色波，②大气成分单一、温度恒定、密度水平分层且随高度按指数律减小。在这两个条件下，对电子密度随高度的分布进行计算，得到了第一个理论模式，后人称为查普曼模式。
如果辐射进入的方向与天顶成角
（称为天顶角），则由于沿途受到气体的吸收，到达高度为 h的辐射通量φ(λ)将比进入大气之前的通量φ∞(λ)减弱e(倍，而
= n
Hsec，其中n 为气体中性粒子的密度，是高度的函数,H为标高。由此可见， 是度量吸收程度的指标，称为光学深度，它是高度的函数。将 =1定义为单位光学深度，在它所对应的高度以下，入射辐射通量很快地趋近于零，即接近被完全吸收。如果去掉温度恒定的假设，则标高也将随高度而变，密度 n也不再是高度的简单函数。此外，当天顶角
相当大时，由于地球的曲率不能忽略而使大气平面分层的假设不再成立，于是 值必须修正。电子生成率 中性气体吸收太阳辐射能量后发生电离。单位体积内每秒产生的电子数,即电子生成率Q，同太阳辐射通量
、中性粒子的密度 n和它的电离截面1成正比：Q=n
1φ∞（λ）e(。由于n和 都是高度 h的函数，故Q也随高度变化。在较高的高度上，辐射通量虽强，但粒子密度却小；辐射深入大气层后，虽然能遇到更多的可电离粒子，但辐射通量因沿途被吸收而大大衰减。这两种因素相互制约，使得电子生成率在中间某一高度 hm上达到最大值 Qm。求Q表达式的极值,可以证明 hm即在 ＝1处，因此，可以很容易地求出 Qm和 hm的值，并进而求得Q值随高度而变化的关系。图1[ 不同天顶角χ下电子生成率与高度的关系]
表示了不同天顶角情况下 Q值的差别。图中横坐标为比值Q（）/Qm0，Q（）是天顶角时的Q 值, Qm0 是天顶角 ＝0 时电子生成率的最大值。纵坐标为约化高度ζ，ζ=(h-hm0)/H，hm0是电子生成率取Qm0时所对应的高度。由图可见，当 增加时，Q的极大值变小,且其取极大值的高度向上移动。电子的消失 当不考虑电子的漂移运动时，单位体积每秒消失的电子数,称为电子消失率L。电子的消失主要有两种类型，一种是电子和正离子的复合，另一种是电子附着到中性粒子上，变成负离子。
电子和正离子的复合有时伴随着光子的辐射，其反应式为：
X(+e(─→X+(h
)，其中 X代表中性粒子。因复合引起的电子消失率同电子密度N和正离子密度[X(]的乘积成正比, 如 [X(]和N相等，则L=
[X(]N= N(, 称为复合（或辐射复合）系数,是高度的函数。
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