1) transient creep
暂态漏泄
2) steady leak
稳态泄漏
3) dynamic leakage
动态泄漏
1.
According to the displacement response result,the dynamic leakage clearance for the finger seal is obtained and the leakage is subsequently calculated.
为此,对指尖密封动态工作条件下的激励形式和装配过盈进行了技术处理,构建了指尖密封系统的动力学分析模型,获得了指尖密封在转子激励下的位移响应以及动态条件下指尖靴与转子之间的接触压力分布,并根据位移响应结果得到了指尖密封的动态泄漏间隙,建立了指尖密封动态泄漏率计算方法。
4) static leakage amount
静态泄漏量
5) unsteady leakage
非稳态泄漏
1.
Numerical simulation of unsteady leakage and diffusion of gas pipeline
燃气管道非稳态泄漏及扩散的模拟
6) off-state leakage current
关态泄漏电流
1.
Simulation of the off-state gate current,drain current and substrate current in nano-scale MOSFET indicated that the edge direct tunneling current(IEDT) was far larger than conventional gate induced drain leakage current(IGIDL),subthreshold leakage current(ISUB),and band-to-band tunneling current(IBTBT),thus becoming the dominating off-state leakage current.
对50 nm和90 nm MOSFET器件的Id-Vg特性进行了比较,发现在高Vdd下,关态泄漏电流(Ioff)随IEDT的增加而不断增大,并且器件尺寸越小,Ioff越大。
2.
The off-state leakage current,transconductance,and the gate leakage current of the devices are monitored.
通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷。
补充资料：变电所快速暂态电磁场
变电所快速暂态电磁场
fast transient electro-magnetic fields in substations
变电所中快速暂态电磁场强度由于开关操作暂态过程受多种因素影响.因此变电所中实际测t得到的场强数值分散性较大。不同电压等级变电所，用不同型式开关，实测得到的电场强度可达数十千伏/米(kV/m).磁场强度可达数百安培/米(A/m).美国对变电所中操作暂态电磁场的实测工作做的较多。作为一个例子，下表列出了美国电力研究院(EPRI)在115kV、250 kV、500 kV变电所中的实测结果。常规变电所内测点在母线下方地面，操作是断开一段短母线，一川纵潮洲娜朋洲川一0 0 0 0 0 00411:1l)即10 010加 ︵任守︸侧欲典匆 6 .0臼.《】火l()《a)T(5、留一。·““nlj 0 50几00 .，0.1 10 (任/A艺侧蔽2.()魂.硬)丫﹂)()口匕t卜卜片卜f乙仁0 t 0 0 0 0 005 .....-卜闭40加020化 (‘/V)侧旧要翻，::.:: l二‘.1.吐吐.吐2.《)4.(】6 .0划) 了卜卜┌────┬──────┐│ 一一J │八L，‘一’ ││习 ├──────┤│一一.1 │{犷V一· │└────┴──────┘0﹃-j门1 96，JD.任1 9 tl滩n乙oq乙 ︵三z淤巴侧翻要御 (一。一‘)洲.‘}12‘)一6(，义1‘，一‘， 喊d)T(5) 500 kV变电所内断开隔离开关时 的地面电场和磁场(a)GIS磁场;(b)GIS电场;(e)AIS滋场;(d)AIS电场b一and一onsuo kuolsu zonto一d一onelehong变电所快速暂态电磁场(fast transient elec-tromagnetie fields in substations)变电所中隔离开关切、合短母线时的暂态过程产生的电磁场。高压隔离开关操作时，触头间产生一系列电弧过程。
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参考词条