1) arsenic doped epi
掺砷外延层
2) Se doped epitaxial layer
掺Se外延层
3) doped epitaxial layer
掺杂外延层
4) thickness and doping concentration of EPI
外延层厚度和掺杂浓度
1.
By the theoretical calculation,the thickness and doping concentration of EPI were improved.
通过理论计算,优化了外延层厚度和掺杂浓度,对影响击穿电压的相关结构参数进行设计,探讨了VDMOSFET的终端结构。
补充资料:掺掺
1.女手纤美貌。
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参考词条