1) light transmitting photomask
光透射掩膜
2) X-ray mask matetrial
X射线光刻掩膜材料
3) Photomask
['fəutəumɑ:sk]
光刻掩膜
1.
A Simple Photomask with Photoresist Mask Layer for Ultraviolet-Photolithography and Its Application for Selectively Photochemical Surface Modification of Polymers;
光胶做挡光层的紫外光刻掩膜用于高聚物芯片表面选择性光化学改性
4) photomask
['fəutəumɑ:sk]
光学掩膜
5) photo-mask lithography
掩膜光刻
1.
To develop a simple low-cost method for general microcups of electronic paper,the chosen methacrylic ester formulation consisted of some function units,such as solvent-resistance units,flexibility and adhesion promoting units,was accomplished through photo-mask lithography.
采用丙烯酸酯材料,以含羧酸的低聚物交联所得的网状结构为抗蚀单元,以聚酯、聚氨酯、异冰片酯单元等为柔性附着力促进单元,通过掩膜光刻法制得微杯结构。
6) rigid transmission mask
硬透射掩模
补充资料：电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一
分子式：
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
CAS号：
性质：又称全氟羧酸-磺酸复合离子膜 Rf-COOH-Rf-SO3H 电解食盐水溶液离子膜电解槽所用的膜材料之一。使用时，将较薄的羧酸层面向阴极，较厚的磺酸层面向阳极，因而兼有羧酸膜和磺酸膜的优点。由于Rf-COOH层的存在，可阻挡氢氧离子返迁移到阳极室，确保了高的电流效率（96%），因Rf-SO3层的电阻低，能在高电流密度下运行，且阴极液可用盐酸中和，产品氯气中氧含量低，氢氧化钠浓度可达33%～35%。可在全氟磺酸膜上涂敷一层全氟羧酸的聚合物，或是将磺酸膜和羧酸膜进行层压，或是采用化学方法处理而制得的复合膜。现以采用化学方法处理者质量最佳。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条