1) well implant
阱区离子注入
2) ion-implanted region
离子注入区
3) depletion implantation
耗尽区离子注入
4) emitter ion implantation
发射区离子注入
5) ion damaged area
离子注入损伤区
6) quantum well injection transit
量子阱注入传输
1.
The distinction between two microwave equivalent-circuit models,quasi Esaki tunneling model (QETM) and quantum well injection transit model (QWITM),for the resonant tunneling diode (RTD) is discussed in details,and two groups of circuit parameters are extracted from experiment data by the least square fit method.
讨论了谐振隧穿二极管 (RTD)的两种微波等效电路模型 :类江崎隧道模型 (QETM)和量子阱注入传输模型(QWITM)之间的差异 ,并用最小二乘法拟合实验数据 ,提取了两种模型的电路参数 。
补充资料：离子注入
分子式：
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
分子量：
CAS号：
性质：用高速离子轰击格料，使被轰击材料表面形成一定深度的注入层，注入进去的元素可以使注入层的物理性、化学组成和结构发生变化，从而使材料改性。
说明：补充资料仅用于学习参考，请勿用于其它任何用途。
参考词条